一种应用于深亚微米存储器的电荷泵设计

化的跟随衬底电位。

图2 高压MOS器件构成电荷泵电路结构图

　　仿真结果

　　高压管实现的电荷泵电路基于TSMC 0.18μm工艺进行仿真验证。设置不同的衬底电位将得出不同的仿真结果。

　　如图3所示为衬底接地的电路仿真波形图。电源电压3.3V，时钟周期106ns，外加编程高压7.5V，电荷泵在500ns后开始工作。从仿真结果可以看出，V2和V3的峰值电压在10V左右，比稳态高出2.5V。对于正常工作在3.3V电源电压下的常压普通管而言，峰值电压必然会带来不可忽视的危害。此外可得出，电荷泵工作11个时钟周期后在1.7μs达到7.5V的稳态值。进入稳态之后，仅存在0.2V的纹波，满足稳定编程要求。

图3 衬底接地电位的仿真波形图

图4 衬底接2V电压的仿真波形图

　　衬底接2V电压的仿真结果如图4所示，其余信号与图3中相同。与图3相比，峰值电压相等，但电荷泵的工作时间明显缩短。数据显示，电荷泵工作9个周期后近似在1.5μs达到7.5V的稳态值。由此证明，体效应对电路影响较大，加合适的衬底电位可明显较弱其不良影响。