低噪声、高线性度的3.5GHz LNA设计

减少到12个。安华高的GaAs EPHEMT专有工艺可以在不降低增益、功率和线性度的条件下用单级电路实现+15dB的增益，这是因为共源共栅晶体管仅工作在VDD的一半。在3.5GHz频率点，共源共栅拓扑结构与相同栅极宽度的单个EPHEMT相比，具有可观的增益和隔离优势。未来的工作将专注于输入匹配误差的校正，和在较宽电源电压范围内进行定性分析。