基于0．25 μm N阱CMOS工艺下的CMOS带隙基准电压源设计方案

地之间的电流，关断电流指的是在电路不工作的情况下从电源到地的漏电流。

3 结论

本文研究了一种在0．25 μm N阱CMOS工艺下采用一阶温度补偿技术的CMOS带隙基准电压源。电路经过参数优化后用T-SPICE仿真结果为：在3．3 V电源电压下的输出的参考电压为1．403 1 V，当温度在-20～70℃之间变化时，电路的温度系数达到了10x10-6／℃，室温下电路的功耗为5．283 1 mW，电路低频时的电源抑制比特性还不是很好，还有待于进一步的提高，高频时的电源抑制比非常好，因此本电路可以广泛应用于低功耗，低温漂，高频集成电路中。