射频前端芯片遭遇5G风口，会有怎样化学反应？

目前，全球已经形成了较为完整的SOI产业链，其中代工厂主要有Global Foundry、ST(意法半导体)、三星、UMC(联华电子)等，半导体材料供应商主要有MEMC、ShinEtsu(信越)和Soitec等。

相比之下，中国大陆的SOI产业链则处于起步阶段，代工方面，SMIC、华虹宏力、华润上华(CSMC)均可提供SOI工艺，但在工艺成熟度上仍和世界先进水平有明显差距，材料方面，仅有上海新傲科技和沈阳硅基科技有限公司可提供SOI晶圆，其中新傲科技与Soitec通过技术授权进行合作，每年可提供100万片8英寸SOI晶圆，目前，新傲科技自有的8英寸产能达到年产10万片，并正在建设两条12英寸产线，计划2017年达到年产18万片，如图44所示。

7.全球射频滤波器产业链分析
滤波器在射频前端芯片中的应用范围十分广泛，除Filter外，双工器(Duplexer)和多工器(Multiplexer)内部的核心器件也是SAW/BAW Filter，随着移动通信模式和频段的增加，数量增长最快的射频前端器件不是功率放大器，而是滤波器。

滤波器使用RF-MEMS工艺制造，具有极高的技术门槛，在保证高度一致性和高质量的条件下实现大规模量产难度极大，目前SAW/BAW滤波器的核心技术基本都掌握在日本、美国企业手中，SAW滤波器主要的企业有Murata和TDK，更先进的BAW滤波器技术则主要被Qorvo和Broadcom垄断。

国内方面，滤波器产品的国产替代化同样取得一定进展，利用2016年手机元器件整体缺货的机会，无锡好达电子的SAW滤波器产品成功进入中兴、金立、魅族等手机供应链。另一方面，国内功率放大器设计厂商如紫光展锐等，也认识到了滤波器技术在未来射频前端芯片中的重要性，成立MEMS研发团队，力争在滤波器、双工器等领域取得突破。

上市公司方面，麦捷科技2016年1月公告拟定向增发募集资金不超过10亿元，其中投向基于 LTCC 基板的终端射频声表滤波器(SAW)封装工艺开发与生产项目4.5亿元，预计项目建成后，年产滤波器 9.4亿只。建设期2年，达产后预计年均实现销售收入 3.87亿元，年均实现净利润 5806万元。这一方案已于2016年12月得到批准，目前项目进展顺利。

总结
射频前端芯片市场主要分为两个方向：一是移动终端市场，尽管智能手机渗透率接近饱和，增长率逐渐放缓，但5G的发展推动单个移动终端内部射频前端芯片的数量和价值持续提高，加之物联网产业借助5G落地，成为驱动射频前端芯片市场发展的另一引擎。预计至2019年，市场总规模将超过200亿美元，年复合增长率超过15%；二是以基站为代表的通信基础设施建设市场，相比终端市场，此领域市场规模较小，2015年约6亿美元，但5G核心技术Massive MIMO、微基站、毫米波将会首先在这一市场得到应用，预计先于终端市场进入产业化阶段，率先收益。

重点关注的技术创新主要有两方面：设计领域重点关注BAW滤波器和毫米波功率放大器。5G标准将会推动更多高频率频谱资源的应用，并使用更多数量的载波聚合。因此具备更好高频性能和带外抑制性能的BAW滤波器替代传统SAW滤波器将成为大势所趋。毫米波的应用则会使通信频谱带宽有10倍至20倍的提升，是实现5G最高数据传输速率达到20Gbps的重要技术手段。

工艺领域重点关注GaN(氮化镓)。GaN具有更强的耐压能力、更高的能量密度、更好的散热特性、可以工作在更高的频率，在3.5GHz至6GHz以及毫米波频段，均具备明显优势。在基站射频前端市场上，GaN工艺取代LDMOS已成定局，随着低电压GaN工艺的技术突破，在终端上的全面应用同样指日可待。此外，GaN工艺在军事雷达、汽车电子方面都有广泛的应用，战略意义巨大。

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