这家微波芯片公司说：在国内市场，只有Turn-key解决方案是出路

作为我国本土微波芯片设计初创公司安其威微电子（Archiwave）的CEO，陆建华一针见血地指出了半导体产业，特别是我国市场存在的问题，即很多半导体公司只做芯片，产品交到客户手中，客户根本就不知道怎么用，要想解决这一问题，就必须提供Turn-key方案，这就需要在芯片的基础上，开发面向客户的模块和系统方案。另一方面，很多零部件和系统集成厂商只做模块，这样的弊端是缺乏自身的核心竞争力，比较容易被别人抄袭、替换。因此，基于我国半导体市场的实际情况，陆建华提出了一个发展口号，即以芯片为核心和基础，以模块和系统切入市场。

微波芯片的机遇与挑战

全球半导体产业已经发展到了很成熟的阶段，但中国还处在上升期，多个领域都存在着空白，微波芯片尤为突出。欧美发达国家对我国的半导体元器件设置了层层的禁运限制，客观上限制了我国半导体产业的发展，但这同时也给国内的芯片设计、制造、封测企业提供了难得的发展机遇，再加上政府这几年在政策和资金方面的大力扶持，使半导体人看到了未来5~10年的美好前景。

在这样的背景下，安其威微电子应运而生。该公司的产品主要面对的不只是手机等消费类市场，更多是用于更高端、需要高性能的工业领域，我国在这一块存在巨大的空白， 芯片自给率非常低，特别是集成度高的微波毫米波芯片，由于芯片尺寸已经和波长在同一量级，必须进行电磁场的仿真和设计，而这些在低频RF芯片设计当中基本不用考虑。另一方面，高频的应用也给电路设计提供了新的思路，可以实现无源器件的更高程度的集成，因为电感、电容、变压器、传输线等无源结构在高频应用中所需面积更小，易于集成。

微波电路系统发展至今已有将近百年的时间。如二战时期的军用雷达，就是微波系统，但当时还没有集成电路，用的都是高功率的真空管。后来，随着集成电路的出现和发展，特别是半导体器件截止频率的不断提升，使其越来越适合微波应用。起初的微波芯片都是用GaAs等化合物工艺实现，但随着硅工艺的不断发展和成熟，以硅为基础的半导体工艺越来越适合低功率的高频微波集成电路，其在消费类电子领域也应用的越来越多， 而我国在硅基微波芯片设计方面还处于空白或初始发展期，这正是安其威微电子瞄准的方向。

在消费类电子应用领域，由于低频（3GHz以下）频谱利用率已经很高，非常拥挤，随着5G、VR等的应用发展，无线数据传输量巨大，对无线传输速度和带宽提出了更高的要求，通信标准必须向高频段的微波甚至毫米波频谱拓展，这些给原本只有很窄市场空间的微波集成电路提供了巨大的发展机遇。

安其威致力于SOI/SiGe硅工艺微波芯片开发

安其威微电子在2015年7月份注册成立，9月份开始运营，主要做的事情就是用硅工艺实现微波集成电路产品。该公司的愿景是做"中国硅工艺微波集成电路专家"。目前，公司有两个研发部门，分别位于上海张江和南京，团队规模15人左右，预计在今后1年时间内，发展到30人。安其威有两条主要产品线：一是通用的微波毫米波元器件，如开关、衰减器、混频器、放大器、移相器以及频率源等等，主要采用SiGe和SOI（绝缘衬底硅工艺）实现； 另外一条是定制化产品线，为客户量身定制比较复杂的、系统级产品。

从历史发展来看，微波集成电路采用的工艺主要有GaAs、SiGe BiCMOS、CMOS和SOI。传统采用的是GaAs，其优点是RF性能好、击穿电压高，但缺点是成本高、无法集成数字电路。目前，业界越来越多的公司都看重SiGe BiCMOS、CMOS和SOI的发展，并不断加大研发投入，这3种硅基工艺在成本、易于集成方面具有先天优势，但在击穿电压方面还有挑战，如何提升它们的击穿电压，以实现好的线性度和大信号处理能力，是摆在研发工程师面前的首要问题。

射频微波半导体工艺比较

SOI是CMOS工艺的特殊版本，二者最大的不同在于衬底，CMOS的衬底是导电的，而SOI采用绝缘衬底，不导电，而且导热性又比较好，可以与GaAs工艺媲美，因此，可以利用这一特性，通过特殊设计方法，可以弥补其在击穿电压特性上的不足，从而也可以实现相对较高功率的电路。基于这些优点，世界上很多半导体公司在加大SOI设计和工艺的投入，相信SOI将会在今后成为小功率微波集成电路的主流工艺。

陆建华的硅工艺之路

陆建华在东南大学无线电系先后获得本科和硕士学位，2002年，去了加州大学洛杉矶分校（UCLA），师从Frank Chang教授，学习CMOS微波集成电路设计，2011年取得加州大学电子工程系集成电路与系统专业博士学位。从2004年开始，在攻读博士学位的同时，先后在科