RF元件正统之争，是砷化镓还是矽基？

中，可以在最多2dB的杂讯下，仍然保 有较高线性处理效能。

线 性是近来在矽基产品的另一重大改进，如IDT即以矽为材料开发RF VGA产品，此产品采用 Zero-Distortion技术，可以在BW的2,000MHz环境中，达到>40dBm OIP3，同时在100mA的静态电流中，可拥有23dB的调整范围(图4)。一般情况下，在VGA更加优化的线性度及频宽，可为工程师提供更大的弹性， 设计接收系统。

另 一项重要的创新技术Glitch-Free，则可以克服数位步进衰减器(Digital Step Attenuators, DSA)作业的不良影响。Glitch-Free可以在MSB状态中，有效降低瞬间过高的杂讯，由10dB降至0.5dB。在如发射器的精密电子装置中， 此技术可以确保增益功能在相邻组件间顺利转换。由过往的经验可知，较大的10dB故障将会损害下游功率放大器。除此之外，传统DSA需要较长的设定时间， 此一特性会降低Time-Domain Duplex(TDD)系统的转换效能，藉由Glitch-Free技术，可以有效消除上述不良影响，提升系统可靠度，同时可以更灵活地运用TDD系统。

砷化镓放大器凭藉着优异的杂讯处理及高度线性等特性，使其成为设计师在高性能RF装置的首选。然而，近来以矽基产品的设计已在杂 讯及线性等方面，以各种技术取得突破性进展，这些技术包括SOI、Zero-Distortion、Glitch-Free等，使得矽基产品在成为砷化镓 替代品的选择上，更前进一大步。