移动终端中三类射频电路的演进方向

因此，DCR/DCT的收发芯片是以后射频收发芯片发展的主要趋势和主要应用。

图5：采用直接变频的射频收发芯片架构图。

图6：直接变频(DCR/DCT)发射电路原理图。

图7：直接变频(DCR/DCT)接收电路原理图。

外置晶体频率源成为主流

射频频率源主要来自射频收发芯片内部所集成的小数分频PLL的频率合成器，精准的频率提供给各本振所使用，锁相环PLL所使用的参考基准频率需要外置的晶体或晶振所提供。

图8：由内含三点式电路的晶振构成的频率源架构。

在移动通信终端外置基准频率源发展过程中，主要经历了两个阶段：第一阶段采用温度补偿晶振阶段；第二阶段采用晶体阶段。温度补偿晶振可以提供高稳定度的频率，晶振内部包含了构成振荡器的三点式电路构架，温度补偿晶振的使用为第一阶段。随着射频收发芯片集成度的提高，频率源的三点式电路集成到收发信机芯片内部，外置只需要一个简单的晶体来完成，有效地降低了移动终端的BOM成本，外置晶体作为频率源的射频构架目前获得了广泛的使用。

本文小结

通过上述三个方面的说明，器件的小型化和低成本化两个主要的推动力推进着移动终端射频元器件在各自领域向前发展，集成的射频前端FEM，直接变频(DCR/DCT)构架的收发信机和外置晶体的频率源成为以后移动终端射频电路设计的主要发展趋势。

图9：只采用外置晶体的频率源架构。