内存芯片识别方法

内存芯片识别方法

1．LGS：LGS的SDRAM芯片上的标识；
GM72V*****1**T**
GM为LGS产品；
72为SDRAM；
第1，2个*代表容量，16为16Mbit，66为64Mbit；
第3，4个*代表数据位宽，一般为4，8，16等，不补0；
第5个*代表bank，2代表2个，4代表4个；
第6个*代表是第几个版本的内核；
第7个*如果是L就代表低功耗，空白为普通；
“T”为TSOP II封装；“I”为BLP封装；
最后的**代表速度：
7：7ns(143MHz)
7：7.5ns(133MHz)
8：8ns(125MHz)
7K：10ns(PC100 CL23)
7J：10ns(PC100 CL3)
10K：10ns(100MHz)
12：12ns(83MHz)
15：15ns(66MHz)

2．Hyundai：现代的SDRAM芯片的标识
HY5*************-**
HY为现代产品，
5*表示芯片类型，57为SDRAM，5D为DDR SDRAM；
第2个*代表工作电压，空白为5伏，“V”为3；3伏，“U”为2；5伏；
第3-5个*代表容量和刷新速度：
16：16Mbit，4k Ref
64：64Mbit，8k Ref
65：64Mbit，4k Ref
128：128Mbit，8k Ref
129：128Mbit，4k Ref
256：256Mbit，16k Ref
257：256Mbit，8K Ref
第6，7个*代表数据位宽，40，80，16，32分别代表4位，8位，16位和32位；
第8个*代表bank，1，2，3分别为2，4，8个bank；
第9个*一般为0，代表LVTTL（Low Voltage TTL）接口；
第10个*可为空白或A，B，C，D等，代表内核，越往后越新；
第11个*如为L则为低功耗，空白为普通；
第12，13个*代表封装形式；
最后几位为速度：
7：7ns(143MHz)
8：8ns(133MHz)
10P：10ns(PC100 CL2/3)
10S：10ns(Pc100 CL3)
10：10ns(100MHz)
12：12ns(83MHz)
15：15ns(66MHz)

3．Micron： Micron的SDRAM芯片的标识；
MT48****M**A*TG-***
MT为Micron的产品；
48代表SDRAM，其后的**如为LC则为普通SDRAM；
M后的**表示数据的位宽；4，8，16，32分别代表4位，8位，16位和32位；
Micron的容量要自己算一下，将M前的**和其后的**相乘，得到的结果为容量；
A*代表write recovery（tWR），如A2表示tWR=2clk
TG为TSOP II 封装，LG为TGFP封装；
最后的**代表速度：
7：7ns(143MHz)
75：7.5ns(133MHz)
8*：8ns(125MHz)，其中*为A-E，字母越往后越好；
10：10ns(100MHz CL=3)；
例如：MT48LC8M8A2TG-8E，64Mbit(8*8)，8位。

如何根据内存芯片标识识别内存(二)

---- 许多朋友都会遇到这样一个问题，在购买内存时不知如何识别内存的品牌、类型、容量、速度等参数。许多人都认为内存不经过主板或专用检测仪检测难于识别，在此我们特为大家提供如下解读内存条的方法。鉴于篇幅限制，这里仅以市场上最常见的现代内存、LG内存以及KingMax内存为例进行说明。

一、现代SDRAM内存芯片的识别

---- 现代(HYUNDAI)公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下:

HY 5X X XXX XX X X X X XX - XX
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩

---- “HY”表明是现代的产品。

---- ①代表的是内存芯片种类: “51”为EDO，“57”为SDRAM，“5D”为DDR SDRAM。

---- ②代表工作电压: “U”为2.5V，“V”为3.3V，空白代表5V。

---- ③代表一个内存芯片的密度和刷新速度: 其编号与密度及刷新速度的对应关系如表1所示。

---- ④代表芯片输出的数据位宽: 其中“40”、“80”、“16”和“32”分别代表输出数据位宽为4位、8位、16位和32位。

---- ⑤代表内存芯片内部由几个Bank组成: 其中“1”、“2”、“3”分别代表2个、4个和8个Bank。

---- ⑥代表内存接口: 一般为“0”，代表LVTTL接口。

---- ⑦代表内存版本号: 空白代表第一代，“A”代表第二代、“B”代表第三代、“C”代表第四代、“D”代表第五代。

---- ⑧代表功耗: 其中“L”代表低功耗的芯片，空白表示为正常功耗芯片。

---- ⑨代表封装类型: 其编号与封装类型的对应关系如下:


“JC”: 400mil SOJ
“TC”: 400mil TSOP-Ⅱ
“TD”: TSOP-Ⅱ
“TG”: TSOP-Ⅱ, GOLD

---- ⑩代表速度: 其编号与速度的对应关系如下:

“7”: 7ns(143MHz)
“8”: 8ns(125MHz)
“10p”: 10ns(PC-100 CL2或3)
“10s”: 10ns(PC-100 CL3)
“10”: 10ns(100MHz)
“12”: 12ns(83MHz)
“15”: 15ns(66MHz)

二、LG SDRAM内存芯片的识别

---- LG公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下:

GM72V XX XX X X X X X XX
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧

---- “GM”代表LG的产品。

---- “72”代表SDRAM。

---- “V”代表工作电压为3.3V。

---- ①代表一个内存芯片的密度和刷新速度: 其编号与密度及刷新速度的对应关系如表2所示。

---- ②代表数据位宽: 其中“4”、 “8”、“16”分别代表4位、8位、16位等。

---- ③代表内存芯片内部Bank: 其中“2”表示2个Bank，“4”表示4个Bank。

---- ④代表内存接口: “1”代表LVTTL。

---- ⑤代表内核版本。

---- ⑥代表功耗: 其中“L”代表低功耗，空白则代表常规功耗。

---- ⑦代表封装类型: “T”表明是TSOP-Ⅱ封装，如果是“I”则代表BLP封装。

---- ⑧代表速度: 其编号与速度的对应关系如下:


“75”: 7.5ns(133MHz)
“8”: 8ns(125MHz)
“7K”: 10ns(PC-100 CL2或3)
“7J”: 10ns(100MHz)
“10K”: 10ns(100MHz)
“12”: 12ns(83MHz)
“15”: 15ns(66MHz)

三、KingMax SDRAM内存芯片的识别

---- KingMax公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下:

KM X XX S XX X X X X X - X XX
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩

---- “KM”表示KingMax的产品。

---- ①代表内存芯片种类: “4”代表DRAM。

---- ②代表内存芯片组成个数: “4”代表×4，“8”代表×8，“16”代表×16。

---- “S”表明是SDRAM。

---- ③代表一个内存芯片密度: “1”代表1Mbit，“2”代表2Mbit，“4”代表4Mbit，“8”代表8Mbit，“16”代表16Mbit。

---- ④代表刷新速度: “0”代表4K Ref，“1”代表2K Ref，“2”代表8K Ref。

---- ⑤代表内存芯片内部由几个Bank组成: “2”代表2个Bank，3代表4个Bank。

---- ⑥代表内存接口: “0”代表LVTTL，“1”代表SSTL。

---- ⑦代表内存版本: 空白代表第1代，“A”代表第2代，“B”代表第3代。

---- ⑧代表封装类型: “T”代表封装类型为TSOP-Ⅱ。

---- ⑨代表电源供应方式: “G”代表自动刷新，“F”代表低电压自动刷新。

---- ⑩代表最少存取周期(最高频率): 其编号与速度的对应关系如下:

“7”: 7ns(143MHz)
“8”: 8ns(125MHz)
“10”: 10ns(100MHz)
“H”: 100MHz@CAS值为2
“L”: 100MHz@CAS值为3

---- 例如内存标识为“KM416S16230A-G10”指的是KingMax的16Mbit×16 =256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K Ref，内存Bank为3，内存接口为LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是10ns(100MHz)。