内存芯片识别方法

片有两种情况

：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-

07）。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超

频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（

CL=2）。

（4）Geil(金邦、原樵风金条)
　
　　金邦金条分为'金、红、绿、银、蓝'五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确

定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条Ｐ针对PC133服务

器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760

K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板

；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。
　
　　金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32
　
　　其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金

SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理

工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是

设备号码（深度*宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 =

128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits

，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54

针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13
FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA

，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP

（第二代），U=μ BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标识

号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，0.2微米3.3V
Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。
　
（5）SEC（Samsung Electronics，三星）
　
　　 三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表

RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、

8=x8、16=x16）；C代表电压（C=5V、V=3.3V）；254代表内存密度256Kbit（256

[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）

；D代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星

256Kbit*16=4Mb内存。
　
　　三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星内存；4代

表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）

；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M

、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示内存排数（2=2排

、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代

、A=第2代、B=第3代）；G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）；10

代表最高频率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H

= 100 MHz @ CAS值为2、L = 100 MHz @ CAS值为3 ）。三星的容量需要自己计算

一下，方法是用'S'后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即三星

16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第

2代内存，自动刷新，速度是10ns(100 MHz)。
　
三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下：
　
　　Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
　　Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA
　　三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代

表RAM种类（4=DRAM）；16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32

）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表内存密

度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 =

256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K

[15.6μs]、1 = 32m/2K [15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μ

s]、4 = 128m/16K[7.8μs]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电

压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封装类型（T=66

针TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz

(400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z =

7.5ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz

(200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0 =

64m/4K (15.6μs)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压

L