内存芯片识别方法

VTT+SST_3(3.3V)，封装类型66针TSOP
Ⅱ，速度133MHZ。
　
　　三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表

RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示

产品类型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M

、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL

-CSP）；80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，

BGA封装，速度800Mbps。

（6）Micron（美光）
　
　　Micron公司是世界上知名内存生产商之一（如右图Micron PC143 SDRAM内存

条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j
　
　　其中MT代表Micron的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR

SDRAM、6=Rambus）；ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，

V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef设备号码（深度*宽度），无字母=Bits，K=Kilobits

（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示数

据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery

［Twr］(A2=Twr=2clk)；TG代表封装（TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，

F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，

FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，

R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，

空白=普通）；hj代表速度，分成以下四类：
　
（A）DRAM
　
　　-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns
　　SDRAM，x32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3）
　　-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-

7x+=143MHz，-　　　65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHz
　　DDR SDRAM（x4，x8，x16）时钟率 @ CL=2.5
　　-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz
　
（B）Rambus（时钟率）
　
　　-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns

，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns
　　+的含义
　　-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）
　　-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）
　　-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）
　　-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）
　
（C）DDR SDRAM
　
　　-8支持PC200（CL2）
　　-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）
　　-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。
　　例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，

16M8=16*8MB=128MB，133MHz
　
（7）其它内存芯片编号
　
　　NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品

；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8

位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表Bank数（3或4

代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；2代表2个Bank）；1代表LVTTL（如

为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个Bank和LVTTL，3代

表4个Bank和LVTTL）；G5TSOPⅡ封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在

125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8ns［125MHz CL 3］，10=10ns［PC100 CL

3］，10B=10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范，12=12ns，70=[PC133]，

75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-pinTSOP-Ⅱ；JF=54-pin TSOPⅡ；

JH=86-pin TSOP-Ⅱ）。
　
　　HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52

是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽

（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至

少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOⅡ封装；

B60代表速度（75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，A60=10ns［PC-100 CL2

或3］，B60=10ns［PC-100 CL3］即100MHZ时CL是3）。
　
　　SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab

为容量，gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz［

CL3］，10=100MHz［PC66规格］）。
　
　　TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；

59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容

量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位

、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPⅡ封装（FT后如有字母