何时应对宽能带隙材料时代

现场使用，以及具有成本效益的高度成熟制造设施，在未来数年中，IGBT、 SuperFET? MOSFET以及STEALTH?整流器将会满足600V至1200V市场需求。屏蔽栅PowerTrench? 硅器件仍然是25V至150V应用的首选器件。随着系统设计人员学习使用宽能带隙器件的高频能力，这些器件在系统性能、尺寸以及成本方面的优势将会显现出 来，并在2020年前乃至其后十年中逐步推动该产业的转变，实现宽能带隙器件的普遍使用。