高容量Flash MCU需求涨

作协议，将採用40奈米製程量产Flash MCU和系统单晶片（SoC），加入40奈米製程赛局。

　　整合富士通资源　飞索2015年发布Flash MCU

　　2013年5月，飞索宣布收购富士通半导体（Fujitsu Semiconductor）微控制器和类比部门，如此大动作跨足微控制器产业，已引发半导体业界的关注。飞索预定于2013年7？9月，正式完成富士通半导体微控制器、类比及混合讯号部门购併，未来将加速整合该部门技术资源，以及自家的嵌入式电荷撷取（eCT）快闪记忆体技术，全力加速Flash微控制器研发，预计于2015年发布首款产品。

　　飞索资深副总裁暨全球技术长Saied Tehrani（图3）谈到，该公司在嵌入式市场与快闪记忆体领域已累积不少成果，若再结合富士通半导体微控制器、类比业务相关产品和技术，以及其在日本市场的优势，将可进一步扩大市场版图，带动飞索快闪记忆体产品销售成长。

　　Tehrani进一步指出，飞索购併富士通半导体微控制器与类比业务将强化针对嵌入式市场的产品线，包括汽车、工业及消费性电子，预计7？9月完成购併案后，将于2014年为飞索挹注高达4亿5，000万至5亿5，000万美元的收入。

　　据悉，在双方购併作业完成后，富士通半导体将成为飞索微控制器和类比业务的晶圆代工厂，并将沿用既有的55奈米、65奈米及90奈米製程，为飞索量产Flash MCU。

　　Tehrani认为，该公司收购富士通半导体的MCU与类比业务后，将会产生诸多综效，特别是快闪记忆体在微控制器应用有众多机会点；而在结合双方的优势后，更可利用飞索在嵌入式市场的地位和能见度来扩大微控制器、类比及混合讯号产品于汽车、工业和消费性电子的市场渗透率。

　　不仅如此，飞索也与联电展开更先进的40奈米eFlash製程合作。Tehrani认为，飞索的eCT快闪记忆体技术，结合联电40奈米製程，将为旗下的SoC提供更高性能、更低功耗及更具成本竞争力的微控制器和SoC方案，大举插旗嵌入式市场。

　　飞索与联电的40奈米合作协议中，将授权联电其独家的eCT快闪记忆体技术，该技术类似飞索的MirrorBit技术，但经过修改和逻辑优化，故具备更快存取时间（低于10奈秒）和更低功率的特色，并易于与逻辑整合，较传统NOR快闪记忆体生产方式使用更少的光罩製程步骤，让eCT能整合快闪记忆体和高性能逻辑SoC产品，成为具有成本效益的解决方案。

　　面对Flash MCU市场竞争者众，Tehrani强调，该公司在非挥发性记忆体发展有悠久的歷史，并在嵌入式MCU和SoC独立式快闪记忆体的eCT技术发展上有超过 10年经验，且拥有的嵌入式快闪记忆体技术係专为先进的逻辑设计，因此具备更快存取速度、低功耗及高运算效率的优势，有利于提高日后旗下Flash MCU产品的市场竞争力。

　　在智慧化嵌入式系统蔚为风潮之下，国外半导体大厂正争相加入新一轮先进奈米Flash製程赛局，藉由更先进的40奈米製程，开发出内嵌更高NOR快闪记忆体容量、更高存取速度、更具成本竞争力的高阶32位元Flash MCU，以避免陷入入门级产品线打价格战的泥淖，同时积极壮大高毛利的智慧化嵌入式系统市场版图。