TMS320C6701自动加载及程序烧写的简化设计

。本文将用户程序地址空间安排在从0开始的0xB400空间内，烧写程序安排在从0xC000开始的0x3400空间内。烧写程序.cmd文件地址空间分配如下：

MEMORY{

VECS： o=0000C000h l=00000400h

PMEM： o=0000C400h l=00003000h

}

如果需要优化程序空间，可以通过编译生成的.map文件得到用户程序和烧写程序实际占用的空间，通过修改，.cmd文件进一步优化。

烧写程序没有中断，可以只保留_c_int00，简单起见，也可以采用与应用程序完全相同的中断向量表。

3.2 烧写程序设计

在设计烧写程序前，需要充分了解程序存储芯片的操作过程。本文使用的FLASH芯片AM29LV160的操作码，有写操作、读操作、芯片擦除、块擦除、锁定等十余种操作。FLASH芯片在写操作前需要先进行擦除操作。烧写程序如下：

烧写程序设计和烧写操作中有以下几点需要注意：

①烧写时，一定要先把应用程序目标文件加载到RAM中，再把烧写程序目标文件加载到RAM中，然后运行main函数执行烧写。

②程序中FLASH_ADDRS为自动加载前程序存储的FLASH芯片地址，本文为0X01000000;RAM_ADDRS为加载后程序存储的地址，本文为外部SRAM芯片地址0x00000000。

③进行FLASH芯片操作前需对EMIF进行初始化，程序中my_EmifCog为7个32位二进制数组成的数组，分别配置GBLCTL、CECTL0、CECTL1、CECTL2、CECTL3、SDCTL和SDTIM这7个控制寄存器。本文中CE0接外部32位SRAM芯片，CE2接8位FLASH芯片，分别设置CECTL0为0xFFFF3F23、CECTL1为0xFFFF3F03，其他控制寄存器需要根据应用情况来确定。

④FLASH芯片可整片擦除，也可块擦除，需擦除完成后才能对FLASH芯片进行写操作。FLASH芯片擦除时间较长，需要在擦除子程序后设置断点，等待擦除完成(可以CCS中查看0x01000000起始的FLASH空间全为0xFF为参考)后，再进行程序烧写操作。

⑤程序中PRO_LEN为用户程序长度，为用户应用程序，.cmd文件设置中断向量、程序等分配的总长度，本文为0xB400。

⑥程序加载到的外部SRAM为32位，FLASH芯片为8位，LENDIAN为高电平。烧写程序从SRAM中读取的程序为32位，32位数据需要按照从低到高的顺序烧写到8位FLASH芯片中。

结语

实际工程应用验证了上述烧写及自动加载方法的可行性。本文所述的加载过程比二次加载节省了DSP系统启动时间，但因加载过程中FLASH芯片读写等待时间为默认设置，用户不能更改，程序加载时间仍达120 ms，在某些看门狗时间较短的应用中需要特别考虑。本文的程序烧写方法还可以推广应用于TI公司其他的DSP系统中。