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基于FPGA的串行Flash扩展实现

时间:11-07 来源:互联网 点击:
4 硬件实现

Flash正常工作时必须严格按照Flash的时序控制信号。首次使用Flash时一定要先进行擦除操作,编程指令可以将1变为0。往Flash中写入数据时,先将数据写入FPGA的ROM中,然后在FPGA内部根据Flash的页面编程时序将数据写入Flash中。选用Altera公司的FPGA,所需的ROM模块可以直接调用QuartusII中的宏功能模块,编写一个控制模块控制读取ROM的时间及地址,并将数据按照Flash的时序送入Flash中.页面编程的模块图如图4所示。选用的Flash容量较大,一般FPGA没有这么大的存储空间,所以数据可分多次写入。FPGA的ROM中的数据保存在.mif文件中,.mif由Matlab直接生成.mif文件,也可在QuartusII软件中生成。



Flash中的数据只要按照读时序要求就可以顺利读入FPGA中进行运算。在调试中,为了验证程序的正确性,可将从Flash中读出的数据通过串口送到计算机,模块图如图5所示。图中的txmit为串口的发送端模块图,它负责将接收到的数据按照RS232C的时序格式输出至计算机。flash_read模块按照Flash的读数据格式发出控制信号,并将从Flash读出的数据按照字节打包送到txmit模块。读时序验证无误后,去除txmit模块,将由Flash读出的数据送到其他模块参与运算。



需要注意的是,一些指令在操作完成后,需要留出一段时间Flash进行数据处理,如写寄存器周期(tw)为5 ms~15 ms,页面编程周期(tpp)为1.4 ms~5 ms,部分擦除周期(tse)为1 s~3 s,而整体擦除周期(tBE)为10 s~20 s。这些指令输入结束后拉高片选信号足够长的时间,也可以在执行这些指令操作的同时读取内部寄存器值,以监控上述周期是否结束。一旦检测到指令执行完毕则执行后续操作,这样可节省时间。如果忽略了Flash的处理时间则会发生错误,导致Flash无法正确执行指令。

5 结束语

数字电路设计中经常需要使用大容量存储器,串行Flash体积小、占用系统资源少、连线简单。随着微电子技术的迅猛发展,FPGA在数字电路设计中所发挥的作用越来越大,广泛应用于系统实现及功能验证。利用FPGA直接控制flash接口时序,不仅节约了专用编程器的开支,而且方便灵活、便于移植。使用硬件描述语言编写的接口时序,可重复利用,可移植性强。FPGA的灵活性和串行Flash的体积小的特点相结合,具有设计灵活、成本低廉、实用性强等优势,并具有重要的参考价值。

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