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详解MOSFET的驱动技术及应用

时间:02-25 来源:互联网 点击:
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  去探测G极的电压,发现电压波形如下:

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  G极的电压居然有4V多,难怪MOSFET会导通,这是因为MOSFET的寄生参数在捣鬼。
  这种情况有什么危害呢?实际情况下,MOS肯定有驱动电路的么,要么导通,要么关掉。问题就出在开机,或者关机的时候,最主要是开机的时候,此时你的驱动电路还没上电。但是输入上电了,由于驱动电路没有工作,G级的电荷无法被释放,就容易导致MOS导通击穿。那么怎么解决呢?
  在GS之间并一个电阻.

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  那么仿真的结果呢:
        几乎为0V.

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  什么叫驱动能力,很多PWM芯片,或者专门的驱动芯片都会说驱动能力,比如384X的驱动能力为1A,其含义是什么呢?
  假如驱动是个理想脉冲源,那么其驱动能力就是无穷大,想提供多大电流就给多大。但实际中,驱动是有内阻的,假设其内阻为10欧姆,在10V电压下,最多能提供的峰值电流就是1A,通常也认为其驱动能力为1A。
  那什么叫驱动电阻呢,通常驱动器和MOS的G极之间,会串一个电阻,就如下图的R3。

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  驱动电阻的作用,如果你的驱动走线很长,驱动电阻可以对走线电感和MOS结电容引起的震荡起阻尼作用。但是通常,现在的PCB走线都很紧凑,走线电感非常小。
  第二个,重要作用就是调解驱动器的驱动能力,调节开关速度。当然只能降低驱动能力,而不能提高。
  对上图进行仿真,R3分别取1欧姆,和100欧姆。下图是MOS的G极的电压波形上升沿。

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  红色波形为R3=1欧姆,绿色为R3=100欧姆。可以看到,当R3比较大时,驱动就有点力不从心了,特别在处理米勒效应的时候,驱动电压上升很缓慢。
  下图,是驱动的下降沿

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  同样标称7A的mos,不同的厂家,不同的器件,参数是不一样的。所以没有什么公式可以去计算。
  那么驱动的快慢对MOS的开关有什么影响呢?下图是MOS导通时候DS的电压:

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  红色的是R3=1欧姆,绿色的是R3=100欧姆。可见R3越大,MOS的导通速度越慢。
  下图是电流波形

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  红色的是R3=1欧姆,绿色的是R3=100欧姆。可见R3越大,MOS的导通速度越慢。
  可以看到,驱动电阻增加可以降低MOS开关的时候得电压电流的变化率。比较慢的开关速度,对EMI有好处。下图是对两个不同驱动情况下,MOS的DS电压波形做付利叶分析得到

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  红色的是R3=1欧姆,绿色的是R3=100欧姆。可见,驱动电阻大的时候,高频谐波明显变小。
  但是驱动速度慢,又有什么坏处呢?那就是开关损耗大了,下图是不同驱动电阻下,导通损耗的功率曲线。

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  红色的是R3=1欧姆,绿色的是R3=100欧姆。可见,驱动电阻大的时候,损耗明显大了。
  结论:驱动电阻到底选多大?还真难讲,小了,EMI不好,大了,效率不好。
  所以只能一个折中的选择了。
  那如果,开通和关断的速度要分别调节,怎么办?就用以下电路。

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  MOSFET的自举驱动。
  对于NMOS来说,必须是G极的电压高于S极一定电压才能导通。那么对于对S极和控制IC的地等电位的MOS来说,驱动根本没有问题,如上图。
  但是对于一些拓扑,比如BUCK(开关管放在上端),双管正激,双管反激,半桥,全桥这些拓扑的上管,就没办法直接用芯片去驱动,那么可以采用自举驱动电路。
  看下图的BUCK电路:

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  加入输入12V,MOS的导通阀值为3V,那么对于Q1来说,当Q1导通之后,如果要维持导通状态,Q1的G级必须保证15V以上的电压,因为S级已经有12V了。
  那么输入才12V,怎么得到15V的电压呢?
  其实上管Q1驱动的供电在于 Cboot。
  看下图,芯片的内部结构:

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  Cboot是挂在boot和LX之间的,而LX却是下管的D级,当下管导通的时候,LX接地,芯片的内部基准通过Dboot(自举二极管)对Cboot充电。当下管关,上管通的时候,LX点的电压上升,Cboot上的电压自然就被举了起来。这样驱动电压才能高过输入电压。
  当然芯片内部的逻辑信号在提供给驱动的时候,还需要Level shift电路,把信号的电平电压也提上去。
  Buck电路,现在有太多的控制芯片集成了自举驱动,让整个设计变得很简单。但是对于,双管的,桥式的拓扑,多数芯片没有集成驱动。那样就可以外加自举驱动芯片,48V系统输入的,可以采用Intersil公司的ISL21XX,HIP21XX系列。如果是AC/DC中,电压比较高的,可以采用IR的IR21XX系列。
  下图是ISL21XX的内部框图。

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  其核心的东西,就是红圈里的boot二极管,和Level shift电路。
  ISL21XX驱动桥式电路示意图:

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  驱动双管电路:

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  驱动有源钳位示意图:

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当然以上都是示意图,没有完整的外围电路,但是外

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