边界扫描SRAM簇板级互连测试研究
时间:08-30
来源:互联网
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4 结论
本文首先通过对SRAM簇的故障模型和对应测试条件进行定义,在进行综合分析的基础上创建了它在硅缺陷的分析当中有重要的作用,它能够直接观察缺陷的形态、分析缺陷的成分以及缺陷-缺陷的相互作用等等。它为我们分析研究硅缺陷提供了一种行之有效的手段。
本文首先通过对SRAM簇的故障模型和对应测试条件进行定义,在进行综合分析的基础上创建了它在硅缺陷的分析当中有重要的作用,它能够直接观察缺陷的形态、分析缺陷的成分以及缺陷-缺陷的相互作用等等。它为我们分析研究硅缺陷提供了一种行之有效的手段。
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- 直流稳压电源电路(11-30)
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