无线设备射频功放设计的革命性演进趋势（上）

总结

近年来，PA的设计受到了众多重要问题的影响。本文总结了若干新问题，并概述了每一个问题是如何对PA的技术选择产生影响的，尤其是一些与OFDM调制一起使用的技术。CMOS PA适合于较低的输出功率，并需要采用数字自适应预失真技术来获得工作所需的线性度。

一直以来，高功率和高频PA都是采用GaAs HBT技术，但现在，高性能SiGe BiCMOS 功放开始与之有力抗衡。可串行接口控制和高集成度前端IC开发的数字逻辑器件的面世，对这种趋势起了强劲的推动作用。因此，GaAs HBT和GaAs pHEMT PA将用于更高的功率级和更为特别的应用。

作者：SiGe半导体公司首席技术官Peter Gammel博士