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区别于传统平面式 一文带你了解超级结MOSFET

时间:07-25 来源: 21ic电子网 点击:

,但不容易保证沟槽内性能的一致性。

超结型结构的工作原理

1、关断状态

从图4中可以看到,垂直导电N+区夹在两边的P区中间,当MOS关断时,也就是G极的电压为0时,横向形成两个反向偏置的PN结:P和垂直导电N+、P+和外延epi层N-。栅极下面的的P区不能形成反型层产生导电沟道,左边P和中间垂直导电N+形成PN结反向偏置,右边P和中间垂直导电N+形成PN结反向偏置,PN结耗尽层增大,并建立横向水平电场。

当中间的N+的渗杂浓度和宽度控制得合适,就可以将中间的N+完全耗尽,如图4(b)所示,这样在中间的N+就没有自由电荷,相当于本征半导体,中间的横向电场极高,只有外部电压大于内部的横向电场,才能将此区域击穿,所以,这个区域的耐压极高,远大于外延层的耐压,功率MOSFET管的耐压主要由外延层来决定。

图4:横向电场及耗尽层

注意到,P+和外延层N-形成PN结也是反向偏置形,有利于产生更宽的耗尽层,增加垂直电场。

2、开通状态

当G极加上驱动电压时,在G极的表面将积累正电荷,同时,吸引P区的电子到表面,将P区表面空穴中和,在栅极下面形成耗尽层,如图5示。随着G极的电压提高,栅极表面正电荷增强,进一步吸引P区电子到表面,这样,在G极下面的P型的沟道区中,积累负电荷,形成N型的反型层,同时,由于更多负电荷在P型表面积累,一些负电荷将扩散进入原来完全耗尽的垂直的 N+,横向的耗尽层越来越减小,横向的电场也越来越小。G极的电压进一步提高,P区更宽范围形成N型的反型层,最后,N+区域回到原来的高渗杂的状态,这样,就形成的低导通电阻的电流路径,如图5(c)所示。

图5:超结型导通过程

另外还有一种介于平面和超结型结构中间的类型,是AOS开发的一种专利结构,虽然电流密度低于超结型,但抗大电流冲击能力非常优异。

图6:介于平面和超结型结构中间的类型

超级结结构是高压MOSFET技术的重大发展并具有显著优点,其RDS(on)、栅极容值和输出电荷以及管芯尺寸同时得到降低。为充分利用这些快速和高效器件,设计工程师需要非常注意其系统设计,特别是减小PCB寄生效应。超结MOS管产品主要有以下几种应用:1)电脑、服务器的电源——更低的功率损耗;2)适配器(笔记本电脑,打印机等)——更轻、更便捷;3)照明(HID灯,工业照明,道路照明等)——更高的功率转换效率;4)消费类电子产品(液晶电视,等离子电视等)——更轻、更薄、更高能效。

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