RF功率MOSFET产品及工艺
时间:11-13
来源:mwrf
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结语
本文通过分析RF功率 LDMOSFET的性能和结构特征,设计出RF 功率 LDMOSFET器件结构,通过工艺和器件模拟确定了关键参数,并设计了一套符合6寸芯片生产线的制造工艺流程,对工艺中的难点提出了解决方案。
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