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机载低相位噪声X波段频率合成器的研究

时间:06-29 来源:微波在线 点击:

目前频率合成器的研究虽然已经非常成熟,但是在其实际应用中经常会出现难以解决的问题。合成器设计者们主要关心的是相位噪声。这在多普勒雷达、捷变频雷 达以及各种通信系统中极其重要。在这些应用中,合成器相位噪声可能会限制系统的动态范围和接收灵敏度。在机载合成器设计中关键的步骤包括:选择最优结构使 相位噪声最小,抑制其它信号源带来的杂散,以及提高效率,减小合成器体积。本文将介绍一种频率合成器的设计,其性能如下:

·频率以20MHz为步进,从8.9 GHz变化到9.3GHz。

·100Hz频偏处相位噪声为-80dBc/Hz,10kH到600kHz频偏相位噪声为-97dBc/Hz。

·合成器必须采用100Hz处相位噪声-115dBc/Hz的100MHz参考频率。

·为了达到误差小于1ppm的合成频率,切换时间为20\

·在带宽从10MHz到输出信号二次谐波频率范围内杂散幅度小于-64dBc。

·二次谐波幅度为-48dBc,三次谐波幅度为-55dBc。

·供电电压12V时,输出功率+13dBm,消耗功率2.3W。

·合成器体积250\,重量为470克。

压控振荡器(VCO)相位噪声分析:VCO频段选取

合成器包括压控振荡器(VCO)、锁相环(PLL)电路和参考信号源。锁相环IC频带的上限低于所需输出频带,仅仅达到其一半。设计合成器有两种不同方法--用频率为输出频率一半的VCO产生PLL输入信号,然后对其进行倍频得到输出;或用工作于输出频率的VCO产生信号然后分频得到PLL输入信号。VCO的相位噪声性能是选择最佳方法的主要准则。用Leeson等式描述VCO相位噪声为:

\

其中:

\=频率偏移(Hz)

\=振荡频率(Hz)

\=等效噪声阻抗为R的共振电路负载Q值

\=作为放大器元件的有源设备闪烁转角频率(Hz)

F = 有源设备的噪声指数

k=玻尔茨曼常数,\(J/K)

T=温度(开氏温标)

\=有源设备输入端信号的平均功率

\=振荡电压调谐增益(Hz/V)

\这一项表示阻抗R的噪声。通常远小于其它噪声而可能被忽略。

于是有:

\

其中噪声电平数NF表示每一边带的宽带热噪声,Pout为dBm形式的振荡器输出功率,G为dB形式的有源设备增益,\ 为振荡器-3dBm半频带宽度。

可以对已公布的4.3GHzVCO计算其L(\)典型值。该VCO拥有4%的调谐带宽,这一带宽很接近合成器的需求。包含一个串联谐振电路和一个正反馈共射放大器,其中使用了Agilent公司的硅双极性晶体管AT-42086。此晶体管噪声系数F=8.5dB。因为输入端远远没有达到使噪声最小的最佳值,因此噪声系数显著恶化。该VCO的输出功率为10.5dBm,晶体管增益为8dB。因此NF=-167.8dBc/Hz。

串联谐振电路的整体有源阻抗为12.8\,容抗为206\,负载Q值为16.1,因此\。硅双极性晶体管的闪烁转角频率确定为经验数值4kHz。那么对于\=100kHz,计算得到VCO相位噪声为-105.5dBc/Hz,而测量出的相位噪声为-104.4dBc/Hz。

9.1GHzVCO的L(\)典型值可以根据Leeson等式预测出并与4.55GHzVCO(输出频率的一半)的L(\)值进行对比,这两种VCO具有相同的调谐带宽即合成器所要求带宽的4.4%。这里假定两个VCO均采用双极性晶体管,因为它比场效应晶体管的相位噪声低10-15dB。

造成9.1GHzVCO性能恶化的第一个因素是输出频率增加。如果Leeson等式中\乘以2,那么在\区域内L(\)增加6dB。当然,这种恶化在通过倍频4.55GHzVCO后生成合成器输出频率时能够被抵消。

第二个恶化因素是晶体管\在面积较小的设备中较高,相反地,更大面积的设备能够在更低频率上得到更大的输出功率。因此,一般来说9.1GHzVCOLeeson等式中的\值比4.55GHzVCO低3到6dB。如果两个VCO的晶体管噪声系数为常数,则9.1GHzVCO的噪声水平通常要高出3到6dB。

第三个恶化因素是\值下降,这是由于频率翻倍时谐振器容抗变成原来的一半。当然,设计者可以用一个较小容值的变容二极管来保持恒定容抗,但他也可以在更低频率的VCO中使用这个变容二极管。

比如,Microsemi公司的高Q值微波突变变容二极管GC1300有C(0V)=1.2pF,C(4V)=0.8pF。该变容二极管串联一个0.27pF电容后,就能够覆盖合成器带宽的4.4%。谐振器容抗在4.55GHz时为170\,而在9.1GHz时为85\。如果对于这两种VCO,其串联谐振电路的总的有源阻抗均保持恒定,那么9.1GHz VCO的负载Q值为4.55GHzVCO的一半,并且其相位噪声比4.55GHz VCO高6dB。由于9.1GHzVCO的相位噪声比4.55GHz VCO加上倍频器的还高9到12dB,因此合成器中采用了4.55GHz VCO。

把VCO或集成振荡器子模块作为体组件并向专门厂商购买将会更加实际。对于4.55GHzVCO,Hittite Microwave公司的HMC429LP4集成VCO是最好的选择,因为它具有100kHz频偏、单边带相位噪声-105dBc/H

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