CMOS图像传感器的基本原理及设计考虑

光栅型CMOS APS每个像素采用5个晶体管，典型的像素间距为20μm（最小特征尺寸）。采用0.25μmCMOS工艺将允许达到5μm的像素间距。浮置扩散电容的典型值为10－14F量级，产生20μV/e的增益，读出噪声一般为10均方根电子～20均方根电子，已有读出噪声为5均方根电子的报道。

　　CMOS图像传感器的设计分为两大部分，即电路设计和工艺设计，CMOS图像传感器的性能好坏，不仅与材料、工艺有关，更重要的是取决于电路设计和工艺流程以及工艺参数设计。这对设计人员提出更高的要求，设计人员面要宽，在设计中，不但要懂电路、工艺、系统方面的知识，还要有较深的理论知识。这个时代对设计者来说是一个令人兴奋和充满挑战的时代。计算机辅助设计技术为设计者提供了极大的方便，但图像系统的用途以及目标用户的范围由制造商决定。如果用户装有Windows95的系统，那么就要确定图像系统不是Windows98的。如果你只是为了获取并存储大量的低分辨率图像，那就不要选择一个能够提供优质图像但同时会产生更多数据以致于无法存储的高分辨率图像传感器。现在还存在许多非标准的接口系统。现在仅供数字相机所使用可装卸存储介质就包括 PCMCIA卡、东芝（Toshiba）的速闪存储器及软磁盘。重要的是，要根据产品未来所在的工作环境，对样品进行细致的性能评估。

　　5．3 CCD和CMOS系统的设计

　　CCD图像传感器和CMOS图像传感器在设计上各不相同，对于CCD图像传感器，不能在同一芯片上集成所需的功能电路。因此，在设计时，除设计光敏感部分（即CCD图像传感器）外，还要考虑设计提供信号和图像处理的功能电路，即信号读出和处理电路，这些电路需要在另外的基片上制备好后才能组装在 CCD图像传感器的外围;而CMOS图像传感器则不同，特别是CMOS APS可以将所有的功能电路与光敏感部分（光电二极管）同时集成在同一基片上，制作成高度集成化的单芯片摄像系统。与前者相比，成本低、制备容易、体积小、微型化、功耗低，虽然开始有人认为光照灵敏度不如CCD图像传感器的高，并且暗电流和噪声比较大，近来由于改进了电路设计，采用亚微米和深亚微米光刻技术，使CMOS图像传感器的性能得到改善。已经具备与CCD图像传感器进行竞争的条件，21世纪，CMOS摄像器件将成为信息获取与处理领域的佼佼者。到那时，单芯片摄像机和单芯片数码相机将进入千家万户。这些都得益于 CMOS APS为人们提供了高度集成化的系统，如图4

　　所示。图5示出CMOS数码相机的框图，从中可见数码相机设计的复杂性。

　　6结语

　　CMOS图像传感器的前途是光明的，随着多媒体、数字电视、可视通讯等市场的增加，CMOS图像传感器的应用前景更加广阔。CMOS APS为MIS/CCD图像传感器设计提供了另一选择方案，它把电荷转换成电压所需的晶体管装在每个像素内。在这种器件内均不必进行电荷转移， 因为数据读取是在单个像素内完成的。与CCD图像传感器相比，这种器件有很成熟的CMOS集成电路工艺，在降低成本方面有潜力。预期CMOS APS在许多非科学应用领域内将最终替代CCD图像传感器。