来自凌力尔特的LTC4366高压浪涌抑制器应用深入讲解

　　LTC4366浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。通过控制一个外部N沟道MOSFET的栅极，LTC4366可在过压瞬变过程中调节输出。在MOSFET两端承载过压的情况下，负载可以保持运作状态。在返回线路中布设一个电阻器可隔离LTC4366，并允许其随电源向上浮动；因此，输出电压的上限仅取决于高值电阻器的可用性和MOSFET的额定规格。

　　一个可调的过压定时器能在浪涌期间避免损坏MOSFET，而一个附加的9s定时器则为MOSFET提供了冷却周期。停机引脚负责在停机期间将静态电流减小至14A以下。在一个故障发生之后，LTC4366-1将锁断，而LTC4366-2则将执行自动重试操作。

　　应用信息

　　LTC4366的典型应用是一种需要过压保护的系统，该系统可在过压瞬变期间安全地向负载分配功率。下面讨论外部组件的选择。

　　双并联稳压器

　　LTC4366将两个并联稳压器与外部降压电阻器RSS和RIN配合使用，以在VDD和OUT引脚上产生内部电源轨。这些并联调节电源轨可提供针对电路输入电压无限度的高电压瞬变之过压保护，而与LTC4366内部电路的额定电压无关。

　　在启动的起点、停机期间或过压故障之后，GATE引脚电压被箝位至OUT引脚，由此关断MOSFET。这允许利用输出负载和RSS将VSS和OUT引脚拉至地电位。在这种情况下，VDD引脚电压利用一个12V并联稳压器箝位至VSS。然后，把（完整电源电压–12V）施加至负责设定分路电流RIN电阻器上。分路电流可以高达10mA，这比VDD引9A的典型静态电流高出了几个数量级。

　　在正常操作模式中，OUT电压等于输入电源电压。当C1满充电时，IC1在这一点上为零。在这种情况下，利用一个5.7V并联稳压器对OUT和VSS引脚之间的电压进行箝位。（输入电源电压–5.7V）被加至RSS上。RSS电流被分为三块：5.7V分路电流、OUT和VSS之间的偏置电流以及最终的RIN电流。5.7V分路电流可高达10mA，大大超过了典型的OUT（160A）偏置电流。

　　开机时序

　　在输入电源上升之后，VDD和VSS引脚之间的电压并联将调节至12V。接着，在内部生成的电源VCC产生一个30s的上电复位脉冲，该脉冲将进行故障锁存器的清零以及内部锁存器的初始化。然后，停机比较器确定SD引脚是否被外部拉至低电平，如果"是"则请求进入一种低偏置电流停机状态。否则将允许外部MOSFETM1开通。

　　从VDD引脚接入，通过7.5AGATE上拉电流源给MOSFET栅极上电，这种方法被称为"自举"的方法。当GATE电压达到VDD引脚电压（减去一个肖特基二极管压降）时，7.5A电流源将失去电压降并停止向GATE充电（图2中间的那个波形）。自举法依赖于在GATE引脚电压停止上升之后将C1充电至一个足够的电压。C1上的电压随后用作一个充电泵的电源，此充电泵负责把栅极充电至其终值（即：OUT+12V）。如果充电泵电流超过C1充电电流，则C1将放电。倘若C1电压低于4.35V以下，则充电泵将暂停操作，并让C1再充电。

　　如果电源开通并在大负载情况下不能把C1充起来，就有可能导致过热现像的发生，并随之造成器件受损。在栅极和输出斜坡上升时，MOSFET两端的压降为输入电源电压减去输出电压。如果电源电压低于C1充电所需的数值，则输出将无法斜坡上升超越（电源电压–MOSFET门限）。这种3V至5V的MOSFET压降以及高负载电流将导致没有任何保护或超时限值的功率耗散。

　　过压故障

　　LTC4366可避免输入电源上的过压到达负载。一般地，传输晶体管完全导通，并以非常小的电压降给负载供电。当输入电压增加时，OUT电压增加，直至其达到调节点（VREG）为止。从该点起，任何进一步的电压增加都将降落在MOSFET的两端。请注意，由于MOSFET仍然处于导通状态，因此LTC4366可在短时间过压过程中实现不间断的运作。

　　VREG调节点利用两个FB电阻器（RFB1和RFB2）来配置。调节放大器负责将FB引脚电压与（门限OUT引脚电压–1.23V）进行比较。在调节期间RFB1两端的压降为1.23V，而剩余的VREG电压则降落在RFB2的两端。当输出位于调节点时，起动一个定时器以避免MOSFET中产生过大的功率耗散。通常利用一个1.8A下拉电流将TIMER引脚保持于低电平。在调节期间，TIMER引脚以9A的电流进行充电。如果调节点的保持时间之长足以使TIMER引脚电压达到2.8V，则产生一个过压故障锁定。用于设定定时器电容器的公式为：

　　CT=3.5?t［nF/ms］

　　视版本的不同，该器件将冷却并自动起动（LTC4366-2），或者保持锁断状态直到SD引脚启动一个重起为止（LTC4366-1）。冷却时间通常为9秒，这提供了一个非常低的脉冲电源占空比。

在输入电源过压和满负载电流条件下启动确实会使MOSFET