赛普拉斯技术专家支招:怎样为网络应用选择正确的同步SRAM存储器?
持1.5V HSTL接口。应用和QDR SRAM相同。然而,QDRII SRAM速度可以达到333MHz,1.5周期读延时,burst长度为2和4,现有工业级标准165 BGA封装。
DDR SRAM
QDR组织还定义了DDR SRAM,其类似于传统的同步Burst SRAM产品,但是有双倍速I/O.和传统同步Burst SRAM相同,他们应用于读操作比较多的应用中,例如,网络通信应用中的包查找,包分级。
DDRII SRAM
DDRII SRAM的操作类似于DDR SRAM,但是性能有所提升。DDRII SRAM包括两个源同步,自由运行回应时钟(CQ/CQ),可以很容易捕获数据。DDRII SRAM还支持1.5V HSTL接口。应用和DDR SRAM相同。DDRII SRAM速度可以达到333MHz,1.5周期读延时,burst长度为2和4,现有工业级标准165 BGA封装。
DDRII SIO SRAM
DDRII SIO SRAM类似于DDRII CIO SRAM,但是有两个独立的端口:读端口和写端口都可以访问存储器阵列。读端口有数据输出支持读操作,写端口有数据输入支持写操作。DDR II SIO SRAM完全避免了公用I/O设备数据"转向"的问题。DDR II SIO有独立的输入和输出总线,因此和QDRII很类似。唯一的区别是DDRII SIO每个周期只能处理一个操作。另外,由于某个时刻只有一个总线在用,因此总线利用率为50%。
QDRII+ SRAM
QDRII+SRAM操作上和QDRII SRAM类似,但提升了性能。在QDRII+器件中没有冗余数据输入时钟(C & /C),它有一个握手信号(QVLD)代替,这个握手信号当数据变为有效时会有指示,因此简化了数据捕获。设计人员还可选择可编程ODT (On Die Termination)的QDRII+产品。QDRII+SRAM最大速度为550MHz,2或2.5周期读延时,burst长度为2和4,现有工业级标准165 BGA封装。
DDRII+ SRAM
DDRII+SRAM操作上和DDRII SRAM类似,但提升了性能。在DDRII+器件中没有冗余数据输入时钟(C&/C),它有一个握手信号(QVLD)代替,这个握手信号当数据变为有效时会有指示,因此简化了数据捕获。设计人员还可选择可编程ODT (On Die Termination)的DDRII+产品。ODT特性在写周期时开启,在读周期时关闭,从而可以节省功耗。DDRII+SRAM最大速度为 550MHz,2或2.5周期读延时,burst长度为2和4,现有工业级标准165 BGA封装。
DDRII+ SIO SRAM
DDRII+ SIO SRAM类似于DDRII+ CIO SRAM,但是有两个独立的端口:读端口和写端口都可以访问存储器阵列。读端口有数据输出支持读操作,写端口有数据输入支持写操作。DDR II+ SIO SRAM完全避免了公用I/O设备数据"转向"的问题。
QDR和QDRII/QDRII+ 可以使读写操作平衡的系统更优化:
●包存储
●链接表
●查找表
●统计表存储
●y
DDR 和DDRII/DDRII+ 专门应用于数据流操作或读/写不平衡的系统:
●2级缓存
微处理器,网络处理器,DSP存储器
DDRII/DDRII+ 分立I/O专门应用于1地址/时钟2-word burst的系统中。
再次强调一下,QDR 和QDRII/II+适用于读写平衡的系统,例如查找表和统计表存储。
如果需要高速缓存,DDR 和DDRII/II+更适合。
如果用户倾向于QDR结构,但地址总线不支持QDR接口,那么DDR分立IO将是最好选择。
存储器选择:关键因素
选择同步SRAM存储器的首要因素是数据带宽。表一列出了上述讨论过的不同种同步SRAM的带宽。为了计算方便,使用的是最大时钟频率和x36总线宽度。
表 1: 同步SRAM 带宽概览
![](../img/ele-ee/ee-361241pcqiyg1m2r.jpg)
另一个同步SRAM的选择因素是功耗。QDR/DDR器件的功率消耗比标准同步SRAM要低,因为供电电压低。决定存储器选择的其他因素如表2所示:
表2:存储器选择概览
![](../img/ele-ee/ee-36125v3veu0rmhw1.jpg)
注:QDRII+ 和DDRII+可以提供带活不带ODT (On-Die Termination)
现在有很多种同步SRAM。了解了存储器种类之间的不同,系统设计人员就可以为他们的应用选择恰当的同步存储器。
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