赛普拉斯技术专家支招：怎样为网络应用选择正确的同步SRAM存储器？

持1.5V HSTL接口。应用和QDR SRAM相同。然而，QDRII SRAM速度可以达到333MHz，1.5周期读延时，burst长度为2和4，现有工业级标准165 BGA封装。

　　DDR SRAM

　　QDR组织还定义了DDR SRAM，其类似于传统的同步Burst SRAM产品，但是有双倍速I/O.和传统同步Burst SRAM相同，他们应用于读操作比较多的应用中，例如，网络通信应用中的包查找，包分级。

　　DDRII SRAM

　　DDRII SRAM的操作类似于DDR SRAM，但是性能有所提升。DDRII SRAM包括两个源同步，自由运行回应时钟(CQ/CQ)，可以很容易捕获数据。DDRII SRAM还支持1.5V HSTL接口。应用和DDR SRAM相同。DDRII SRAM速度可以达到333MHz，1.5周期读延时，burst长度为2和4，现有工业级标准165 BGA封装。

　　DDRII SIO SRAM

　　DDRII SIO SRAM类似于DDRII CIO SRAM，但是有两个独立的端口：读端口和写端口都可以访问存储器阵列。读端口有数据输出支持读操作，写端口有数据输入支持写操作。DDR II SIO SRAM完全避免了公用I/O设备数据"转向"的问题。DDR II SIO有独立的输入和输出总线，因此和QDRII很类似。唯一的区别是DDRII SIO每个周期只能处理一个操作。另外，由于某个时刻只有一个总线在用，因此总线利用率为50%。

　　QDRII+ SRAM

　　QDRII+SRAM操作上和QDRII SRAM类似，但提升了性能。在QDRII+器件中没有冗余数据输入时钟(C & /C)，它有一个握手信号(QVLD)代替，这个握手信号当数据变为有效时会有指示，因此简化了数据捕获。设计人员还可选择可编程ODT (On Die Termination)的QDRII+产品。QDRII+SRAM最大速度为550MHz，2或2.5周期读延时，burst长度为2和4，现有工业级标准165 BGA封装。

　　DDRII+ SRAM

　　DDRII+SRAM操作上和DDRII SRAM类似，但提升了性能。在DDRII+器件中没有冗余数据输入时钟(C&/C)，它有一个握手信号(QVLD)代替，这个握手信号当数据变为有效时会有指示，因此简化了数据捕获。设计人员还可选择可编程ODT (On Die Termination)的DDRII+产品。ODT特性在写周期时开启，在读周期时关闭，从而可以节省功耗。DDRII+SRAM最大速度为 550MHz，2或2.5周期读延时，burst长度为2和4，现有工业级标准165 BGA封装。

　　DDRII+ SIO SRAM

　　DDRII+ SIO SRAM类似于DDRII+ CIO SRAM，但是有两个独立的端口：读端口和写端口都可以访问存储器阵列。读端口有数据输出支持读操作，写端口有数据输入支持写操作。DDR II+ SIO SRAM完全避免了公用I/O设备数据"转向"的问题。

　　QDR和QDRII/QDRII+ 可以使读写操作平衡的系统更优化:

　　●包存储

　　●链接表

　　●查找表

　　●统计表存储

　　●y

　　DDR 和DDRII/DDRII+ 专门应用于数据流操作或读/写不平衡的系统:

　　●2级缓存

　　微处理器，网络处理器，DSP存储器

　　DDRII/DDRII+ 分立I/O专门应用于1地址/时钟2-word burst的系统中。

　　再次强调一下，QDR 和QDRII/II+适用于读写平衡的系统，例如查找表和统计表存储。

　　如果需要高速缓存，DDR 和DDRII/II+更适合。

　　如果用户倾向于QDR结构，但地址总线不支持QDR接口,那么DDR分立IO将是最好选择。

　　存储器选择：关键因素

　　选择同步SRAM存储器的首要因素是数据带宽。表一列出了上述讨论过的不同种同步SRAM的带宽。为了计算方便，使用的是最大时钟频率和x36总线宽度。

　　表 1: 同步SRAM 带宽概览

　　另一个同步SRAM的选择因素是功耗。QDR/DDR器件的功率消耗比标准同步SRAM要低，因为供电电压低。决定存储器选择的其他因素如表2所示：

　　表2：存储器选择概览

　　注：QDRII+ 和DDRII+可以提供带活不带ODT (On-Die Termination)

　　现在有很多种同步SRAM。了解了存储器种类之间的不同，系统设计人员就可以为他们的应用选择恰当的同步存储器。