从设计到生产看一颗SOC的诞生

，也不为其他厂商代工，所以我们就好好等待下一代Atom处理器就行了。

　　Globalfoundries:14nm FinFET量产相信仍要等到今年的6月份。10nm/7nm工艺方面，Globalfoundries表示将会和IBM合作，但暂时没有量产的消息。但Globalfoundries精于制造高性能大核心，例如PC领域的AMD CPU以及GPU，所以手机Soc和Intel那样，我们纠结不来。总的来说，在2016年14/16nm的量产不是问题，最近更有消息指定位中端的骁龙625也用上了14nm制程。

　　五、热门Soc工艺简析

　　28nm：三星方面有HKMG的LP（Low Power）、LPP（Low Power Plus）以及最强的LPH。而台积电有Poly/SION的LP（Low Power）、HKMG的HPM（High Performance Mobile）、HKMG的HPC+（High Performance Compact Plus）。在手机Soc领域，以上6种性能最强的是三星LPH，接下来是台积电的HPM。28nm不同工艺的定位分别为：高性能：LPH、HPM，主流：LP、HPC、HPC+。

　　28nm LP制程工艺的MT6753

　　20nm：在这个制程节点上仅有台积电正在使用（三星也有，只是用在DDR3内存制造上），而且工艺单一。在今年的Soc列表当中定位高性能的早已使用上16/14nm FinFET工艺，而兼顾性能与功耗的主流Soc依然采用良品率高，性能稳定的28nm HPM/HPC工艺（关键是A72核心使用28nm HPM也能较好地压住功耗），所以20nm制程相信不会在2016年出现在手机Soc领域。

　　20nm HPM的MT6795

　　16/14nm：三星/台积电的FinFET（FF）、台积电的FinFET compact（FFC）以及FinFET Plus（FF+），其中FinFET包含早期的LPE（Low Power Early）以及LPP（Low Power Plus，高级低功耗）两种工艺版本。16/14nm不同工艺的定位分别为：高性能：FF、FF+，主流（着重功耗表现的设备）：FFC。

　　14nm FinFET LPE的Exynos 7420

　　总结

　　2016年相信会是28nm+14/16nm共存的一年，28nm依然成为主流处理器的制程节点，而旗舰处理器则会普片采用16/14nm制程，10nm制程节点的处理器预计最快要到2017年初才会亮相。另外，由于智能穿戴设备等微型便携终端的普及，不少处理器厂商已经推出专门针对这类设备的Soc，它们都会使用制程更新，主打低功耗的工艺，例如16nm FinFET Compact。

　　一颗好的手机处理器，并不只决定于核心架构、核心数量、主频高低、集成GPU的强弱，其发热，功耗也是我们值得考虑的问题，毕竟没人希望自己的手机是暖宝宝或者玩半天就没电的玩意，而制程工艺也决定着核心主频的高低，从而影响性能。但在相同制程节点，相同工艺的条件下，不同处理器生厂商生产出来的Soc也有一定的差异，因为原料的污染，加工工艺的波动，成本/淘汰率的控制都会让同制程节点/同工艺的最终产品在性能上有着较大的差异。