宽带阻抗测量仪的设计——微处理器电路设计

TMS320F2812为哈佛结构的DSP，在逻辑上有4M×16位程序空间和4M×16位数据空间，但物理上已将程序空间和数据空间统一为一个4M×16位的存储空间。

TMS320F2812的外部存储器接口包括：19位地址线，16位数据线、3个片选及读/写控制线。这3个片选线映射到5个外部存储区域，Zone0、1、2、6和7。这5个存储区域可以分别设置为不同的等待周期。

其中Zone 0存储区域：0X002000-0X003FFF，8K×16位；

Zone 1存储区域：0X004000-0X005FFF，8K×16位；

Zone 2存储区域：0X080000-0X0FFFFF，512K×16位；

Zone 6存储区域：0X100000-0X17FFFF，512K×16位；

Zone 7存储区域：0X3FC00-0X3FFFFF，16K×16位。

为满足系统扩展的需要，系统外扩有8M的FLASH和8M的高速SRAM。外扩FLASH芯片采用SST公司的SST39VF800A 512K×16多用途FLASH，可用来存储数据和程序。FLASH被映射到F2812的Zone 2存储空间中，地址空间为0X080000-0X0FFFFF。

SRAM芯片采用ISSI公司的IS61LV51216高速、8M SRAM。SRAM映射到F2812的Zone 6存储空间中，地址空间为0X100000-0X17FFFF。

外扩存储器与TMS320F2812的XINTF接口电路如图5-4所示。

具体的使用情况是：

片内SARAM Ml存放扫描按键值范围0x000400-0x00040A；

片内SARMA L0存放AD转换后的采样值范围0x008000-0x0080FF；

片内FLASH存放程序代码范围0x3D8000-0x3F7FFF；

片内FLASH存放计算后的测量值范围0x080100-0x0FFFFF。

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