不仅有10nm和22FFL工艺制程，英特尔还要联手ARM提供晶圆代工

英特尔在工艺制程领域的造诣可谓登峰造极。2003年，英特尔推出应变硅90nm芯片，当时属于首家，领先业界三年；2007年，英特尔生产出高K金属栅极的芯片，三年后业内其它公司才推出类似产品；英特尔的32nm工艺具有"自校准通道"的技术专长，能够加强连接点的能力，互联功能对于缩小晶片面积提升密度极其重要的，同样领先业界三年。再到22nm技术，英特尔在2011年成为第一家推出了FinFET工艺的厂商，三年后市场上才出现类似产品。英特尔高级院士、技术与制造事业部制程架构与集成总监Mark Bohr总结，"在过去15年中，英特尔在逻辑制程方面推出所有创新都得到了行业的广泛采纳。"

摩尔定律已经失效？还会持续十年
这几年，英特尔的工艺制程迟迟不做更新，这让业界一度怀疑摩尔定律已死。近日，在 "领先•无界"英特尔精尖制造日上，Mark Bohr给出肯定的回答：摩尔定律继续有效。可能有人进一步追问：摩尔定律还会持续多久？Mark Bohr回答地意味深远："如果你在20年前问半导体业内专家，他们会告诉你摩尔定律还能继续十年，如果你在10年前再问行业专家，他们还会说十年，现在你问我，我还是会回答十年。我们拿海平面打一个比方，你离海平线越来越近，但它还是不断往前推进的。"

英特尔高级院士、技术与制造事业部制程架构与集成总监Mark Bohr

英特尔原来的产品策略是Tick-Tock，一年更新一代产品，另一年更新一代工艺，从14nm周期开始拉长，14nm的更新经过了两年半还多，10nm花费了三年多。用户更关心的是英特尔后续是否回归到Tick-Tock策略上？英特尔公司全球副总裁逻辑技术开发部联席总监白鹏表示，"关于产品策略，我们每年有一个新产品，也可以说是同一技术，比如10纳米产品我们有三个wave（三代产品）出来。从产品策略上不会回到Tick-Tock。从技术节奏角度来讲，14nm和10nm，我们迈的步子比较大一点，所以时间也长一点，还要看具体的技术，我迈多大的步子，这和时间会有关系，我们还是会维持在两到三年的节奏。"

启用"失宠"的计算公式，揭开真正10nm的面纱
晶体管密度一直是工艺制程命名的主要标准，摩尔定律是指每代制程工艺都要让芯片上的晶体管数量翻一番。纵观芯片每代创新历史，业界一直遵循这一定律，并按前一代制程工艺缩小约0.7倍来对新制程节点命名，这种线性微缩意味着晶体管密度翻番。因此，出现了90nm、65nm、45nm、32nm--每一代制程节点都能在给定面积上，容纳比前一代多一倍的晶体管。再后来，制程进一步微缩越来越难，一些公司背离了摩尔定律的法则。即使晶体管密度增加很少，或者根本没有增加，但他们仍继续为制程工艺节点命新名。结果导致这些新的制节点名称偏离了摩尔定律曲线的正确位置。

一般我们理解的摩尔定律计算公式是用栅极距乘以最小金属距，但是这并不包含逻辑单元设计，而逻辑单元设计才会影响真正的晶体管密度。因此英特尔重新启用曾经流行但一度"失宠"的一个计算公式了，它基于标准逻辑单元的晶体管密度，并包含决定典型设计的多个权重因素。

Mark Bohr解释，"如果采用这种方式计算，从45纳米到32纳米一路到14纳米、10纳米，英特尔密度的提升是非常明显的，14纳米和10纳米我们做到的密度提升要比之前做的更多一些。这些14纳米和10纳米之所以做到密度更多的提升是因为用了超微缩技术，使得我们在密度上得到更大优化，分别为2.5倍和2.7倍。通过超微缩技术，10纳米将能够做到7.6平方毫米，这是一个0.43的系数。所以也意味着能耗功耗更低，密度和性能得到了提升。"

关于这一公式，笔者最大的疑惑就是出处在哪里？是否具有权威性？Mark Bohr的回答是，"这不是英特尔新创立的公式，而是存在很多年的，而且我们的客户也呼吁我们站出来对摩尔定律做出解释。"

10nm、22FFL制程亮相，英特尔领先业界三年
本次发布会的亮点要属10nm和22FFL制程的闪亮登场。

英特尔10纳米制程的最小栅极间距从70纳米缩小至54纳米，且最小金属间距从52纳米缩小至36纳米。尺寸的缩小使得逻辑晶体管密度可达到每平方毫米1.008亿个晶体管，是之前英特尔14纳米制程的2.7倍，大约是业界其他"10纳米"制程的2倍。

相比之前的14纳米制程，英特尔10纳米制程提升高达25%的性能和降低45%的功耗。相比业界其他所谓的"10 纳米"，英特尔10纳米制程也有显着的领先性能。全新增强版的10 纳米制程--10++，则可将性能再提升15%或将功耗再降低30%。

和友商制程进行对比

基于多年22纳米/14纳米的制造经验，英特尔推出了称为22FFL（FinFET低功耗）的全新工艺。该工艺提供结