芯思想 | 英特尔左T右S，发布10nm和22FFL工艺，超越竞争对手三年

2017年9月19日，"英特尔精尖制造日"活动在北京举行。本次活动云集了英特尔制程、制造方面最权威的专家团，包括公司执行副总裁兼制造、运营与销售集团总裁Stacy Smith，高级院士、技术与制造事业部制程架构与集成总监Mark Bohr，公司技术与制造事业部副总裁、晶圆代工业务联席总经理Zane Ball，并了主题演讲。

杨旭致辞

英特尔公司全球副总裁兼中国区总裁杨旭登台致辞，欢迎来自合作伙伴、客户、政府部门和学术界的嘉宾以及新闻媒体出席2017年9月19日在北京举行的"英特尔精尖制造日"活动。此次活动着眼于快速发展的中国技术生态系统，重申英特尔与中国半导体产业共成长的承诺。英特尔在过去32年里，打造了世界级的晶圆制造和封装测试工厂，自2004年以来在华协议总投入达130亿美元。

杨旭表示我们现在正处于一个数据的时代，以前是人上网，现在是物上网，两者的不同是，后者每天所产生的数据量成几何倍数增长。到2020年的时候，每天的数据量将达到44ZB！从数据量来讲，中国是世界最大的数据产生国之一。英特尔CEO科再奇曾说，"数据是未来的石油"，数据创造价值的时代已经来临。

Stacy Smith主题演讲：摩尔定律并没有消亡

英特尔公司执行副总裁兼制造、运营与销售集团总裁Stacy Smith表示，对英特尔来说，中国是非常重要的市场。在过去32年中，英特尔不断学习，并对中国集成电路行业的发展作出贡献，中国未来也依然是英特尔重要的合作伙伴。基于一代一路战略，英特尔也提出了芯路概念。

Stacy Smith表示很高兴首次在中国与大家分享英特尔制程工艺路线图中的多项重要进展，展现了我们持续推动摩尔定律向前发展所获得的丰硕成果。

Stacy Smith在演讲中提到了摩尔定律，他说，摩尔定律其实反映的是一种经济学原理，它正在改变我们每个人的生活。摩尔定律在其它领域同样适用。

Stacy Smith认为摩尔定律不会失效，他说，英特尔遵循摩尔定律，持续向前推进制程工艺，每一个节点晶体管数量会增加一倍，14nm和10nm都做到了，并带来更强的功能和性能、更高的能效，而且晶体管成本下降幅度前所未有。这表示摩尔定律依然有效。

Stacy Smith认为节点之间的时间延长是整个行业面临的问题，那么摩尔定律在这种情况下能否带来同样的效益。答案依然是肯定的。英特尔的超微缩技术让英特尔能够加速推进密度的提升，借助节点内优化，产品功能每年都可实现增强。

超微缩技术带来的好处是什么呢？Stacy Smith先生用图进行诠释。

超微缩技术的使用，英特尔的14nm制程工艺更加优秀。虽然同为14nm，英特尔的芯片密度更高，性能更强。其它的10nm制程工艺，仅相当于英特尔14nm工艺制程的芯片密度。

Stacy Smith认为英特尔在14nm制程工艺上保持着大约三年的领先性。

Stacy Smith还介绍了英特尔全球精尖制造布局。他说，拥有领先逻辑晶圆厂的公司数量已经越来越少，众多公司已经被淘汰出局。目前在14-16nm节点只剩4家（英特尔、三星、台积电、格芯），且仅有2家（英特尔、三星）有一体化的器件生产能力。

Stacy Smith还介绍了英特尔代工业务。他说，2016年全球晶圆代工收入为530亿美元，其中高端技术（28/20/16/14nm）代工收入2016年达到230亿美元。英特尔将致力22/14/10nm工艺节点的晶圆代工，发力高端市场。

Stacy Smith演讲的最后首次展示了10nm晶圆。

Mark Bohr主题演讲：制程工艺细节

英特尔高级院士、技术与制造事业部制程架构与集成总监Mark Bohr介绍了英特尔10纳米制程工艺的最新细节，展现了英特尔的技术领先性。

Mark Bohr展示了英特尔的制程工艺时间图。他说，英特尔是首家做到22nm FinFET的公司，比竞争友商至少领先三年。

Mark Bohr演示了他提出的晶体管密度计算公式 ，用以规范晶体管密度的通用衡量标准。

Mark Bohr说，14nm到10nm所花费的时间超过两年，但密度提升非常可观。晶体管密度每两年提高约一倍，10nm每平方毫米晶体管数量超过1亿个，而14nm每平方毫米晶体管数量只有不到4000万个。

Mark Bohr说，微处理器晶片的微缩每一代系数约为0.62倍，10nm微缩系数约为0.43倍。提升密度、提高性能、降低能耗、降低成本，是英特尔致力的目标。

Mark Bohr说，英特尔目前投产、开发和前沿研究中的节点，从45-32-22-14-10-7-5-3nm。

Mark Bohr介绍了14nm超微缩相对于22nm超微缩的领先性，同时也介绍了10nm相对于14nm超微缩的技术差异。他说，22nm到14nm再到10nm，第三代FinFET晶体管有了极大的突破。10nm鳍