半导体周要闻 | 英特尔大连工厂预计今年新增固定资产投资 20 亿美元以上

模年增幅度最高的IC产品是DRAM，达55%。IC Insights表示，由于2017年上半全球DRAM平均售价(ASP)强劲攀升，因此DRAM产品市场规模年增幅度会重新跃居各类IC产品之冠，并不意外。

在DRAM、汽车特用逻辑与模拟芯片、NAND Flash，以及工业∕其他特用逻辑芯片等市场规模大幅成长的推动下，预估2017年全球整体IC市场规模将会年增16%。

高通7纳米世代重回台积电怀抱 双方联手转进FinFET制程

高通技术授权事业工程技术副总Sudeepto Roy表示，与台积电近10年来的合作从65纳米开始，会一直走到FinFET制程世代。业界对此解读为高通在7纳米世代将重回台积电生产，在延续摩尔定律的艰钜道路上，台积电绝对是高通更值得信任的合作伙伴。

高通与三星的合作横跨两个半导体制程世代，从16纳米一路到10纳米制程，近期高通在7纳米制程重回台积电生产的传言甚嚣尘上，业界分为两派说法，一是高通手机应用处理器(AP)订单将采用台积电的7纳米制程生产，另一派说法则是高通将先释出基频(baseband)芯片给台积电的7纳米生产，但最关键的AP晶圆代工，高通仍在台积电与三星之间考虑。

高通和台积电近10年来的合作轨迹从2006年一起开发65纳米制程，2007年开发45纳米制程，延续到2010年合作28纳米制程，然随著半导体产业转进至FinFET制程世代之后，高通与台积电的技术合作表面上看似断了线，因为当年在关键的16/14纳米制程抉择点上，高通碍于众多考量，选择采用三星电子(Samsung Electronics)14纳米制程，而非台积电16纳米制程。

第二季NAND Flash品牌厂营收季成长8%，第三季价格续涨

DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮指出，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面临微缩限制，NAND Flash原厂纷纷转进垂直堆栈制程(3D/Vertical-NAND)，但在转换期间所带来的产能损失，已持续造成整体供需失衡，进而使合约价持续上扬，预计今年整年仍将处于供不应求的状态，预期要到2018年随着各原厂在64/72层3D-NAND制程成熟后，才能缓解目前缺货局面。

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，今年第二季整体NAND Flash市况持续受到供货吃紧的影响，即便处于传统NAND Flash的淡季，各产品线合约价平均仍有3-10%的季增水平。由于第三季智能手机与平板计算机内的eMMC/UFS以及SSD合约价仍持续小涨，2017年将是NAND Flash厂商营收表现成果丰硕的一年。

抢当晶圆代工第二 三星华城18号线提前动工

数据显示，2016年三星晶圆代工营收为45.18亿美元，较2015年大增78.6%。

BusinessKorea、Korea Economic Daily、韩联社报导，三星晶圆代工共有三个厂区，S1厂在韩国器兴(Giheung)、S2厂在美国德州奥斯汀、S3在韩国华城(Hwaseong)。S3预定今年底启用，将生产7、8、10纳米制程晶圆。

韩媒BusinessKorea 19日报导，三星华城厂的18号线原定明年动工，如今三星决定提前至今年11月破土。18号线的建筑面积为40,536平方公尺(约1.2万坪)，总楼面面积为298,114平方公尺(约9万坪)。投资金额为6万亿韩元(54亿美元)，预定2019年下半完工，生产存储器以外的半导体产品。