半导体周要闻 | 紫光 大唐会围绕中芯来场战斗吗？

紫光 大唐会围绕中芯来场战斗吗？
2016年底以来，虽偶有减持记录，但"紫光系"与赵伟国个人整体不断增持中芯。

表面看，这次增持不会改变中芯权力平衡。目前，大唐电信仍是中芯最大股东，国家集成电路产业投资基金、紫光集团紧随其后。

但若你将赵伟光针对大唐系与高通合资成立瓴盛发难一事与此放在一个平面，或能体会到不同味道。
那就是，这里面，不但有紫光与高通的博弈，更有高通与大唐之间的博弈。而中芯看似在博弈之外，实质却是双方都要强化渗透的筹码之一。

?福建晋华获首笔30亿元国家专项建设基金支持
力争打造国内首个拥有自主知识产权存储器，晋江晋华集成电路生产线项目，一期投资56.5亿美元，已经纳入国家"十三五"集成电路重大生产力布局规划，并获得首笔30亿元国家专项建设基金支持，是国家大基金积极布局的战略项目之一，项目建成后将填补我国主流存储器自主技术领域的空白。

?中国存储器发展突飞猛进 国际大厂坐不住了
面对中国半导体产业和市场的快速成长，有些传统跨国大厂坐不住了，歧视与恐慌的心理状态和情绪在他们之间不断蔓延…

在美银美林2017年全球技术大会上，美光首席财务官Ernest Maddock表示，尽管资金充足，但由于知识产权不足，行业知识匮乏，中国的存储制造行动可能会失败。

?银和8英寸半导体硅抛光片项目投产年产180万片
总投资30亿元、一期投资15亿元的宁夏银和年产180万片8英寸半导体硅抛光片项目在银川经济技术开发区西区投产。该项目填补了国内8英寸以上硅抛光片量产的空白，打破国外公司对中国半导体硅片材料市场的垄断。

下一步，宁夏银和半导体科技有限公司将投资60亿元，启动年产360万片8英寸半导体硅抛光片项目和年产240万片12英寸半导体硅抛光片项目，通过开展高品质半导体硅片的研发和产业化发展，建成具有国际先进水平的8英寸和12英寸半导体硅片产业化、创新研究和开发基地。

?三星全球最大规模NAND生产线投产
据了解，位于韩国京畿道平泽市的三星电子平泽工厂于2015年5月动工建设，
4日，三星电子平泽工厂全球最大规模半导体生产线正式投产。三星电子将在该工厂生产第四代64位V-NAND，月产能可达20万片

三星宣布，至2021年为止，要对位于平泽市的NAND型快闪存储器厂房投入14.4万亿韩圜（约合125.4亿美元），并对华城市新建的半导体生产线投入6万亿（约合52.3亿美元）韩圜，同时位于中国西安的NAND生产基地也会多盖一条生产线，但投资金额和时间表还未定。

三星西安厂现有第一产线在2014年兴建，月产12万片NAND内存晶圆，若加上规划中的第二产线，产量将达20万片。

截至目前，三星电子在西安工厂投资70亿美元生产3DNAND存储器芯片，用于智能手机、个人电脑和数据服务器等电子设备上的高端数据存储产品。

?欧盟缩水版大基金成立首期投资10亿美元
欧洲两大研究机构CEA-Leti (位于法国Grenoble)以及Fraunhofer Group (位于德国柏林)就在Leti的成立五十周年记者会上宣布签署研发合作协议，将连手为欧洲的微电子技术创新贡献心力。

Leti-Fraunhofer的跨国合作研发项目尚未得到欧盟的认证，德国政府已经批准了一笔10亿美元的预算，以升级德国微电子厂商的设备与技术；这说明了为何Bosch不久前宣布将投资10亿欧元在德国Dresden兴建晶圆厂，以及Globalfoundries宣布在自家德国晶圆厂投资17亿欧元；还有Infineon也打算升级其Dresden的12吋电力电子晶圆厂。

?3D NAND到底行不行一文读懂3D NAND的神话与现实
多年以来，2D NAND 一直都是半导体工业光刻（lithography）技术的发展推动力，其印刷尺寸是最小的，而且保持逐年下降。随着 2D NAND 的尺寸缩小到了十几纳米节点（16nm、15nm甚至 14nm），每个单元也变得非常小，使得每个单元中仅有少数几个电子，而串扰问题又使得进一步缩小变得非常困难而且不够经济。

随着 2D NAND 的问题越来越多，业界开始着眼于 3D NAND。

2D NAND 是一种光刻主导的工艺，20nm 以下的节点需要多个四重图案步骤。从一个节点移动到下一个节点的推动力主要来自于光刻工具的改进。当升级光刻工具时，通常可以用当前的工具以旧换新获得改进后的工具，从而降低转换成本。

而 3D NAND 则是使用的 3D 存储堆栈技术所需的专门工具来进行沉积和蚀刻。光刻技术不是 3D NAND 发展的推动力，在 3D NAND 工艺流程中最多也只有一个双重图案步骤。但是，其流程中却有多个高纵横比蚀刻步骤，其中每个晶片的蚀刻时间高达 30 至 60 分钟！

下面的表格给出了三星的值（所有器件都是 3 bits/cell）。

英特尔-