半导体周要闻 | 力晶合肥12寸晶圆厂正式启用，大陆内存大军再掀战火版图恐剧烈变动

l揭密英特尔Optane 3D XPoint存储器采用了哪些创新技术？
美光(Micron) 32L 3D FG CuA TLC NAND的每颗晶粒存储器密度为2.28Gb/mm2，三星(Samsung) 48L TLC V-NAND为2.57Gb/mm2，东芝(Toshiba)/WD 48L BiCS TLC NAND为2.43Gb/mm2，而海力士(SK Hynix)36L P-BiCS MLC NAND则为1.45Gb/mm2。相形之下，英特尔的Optane XPoint的存储器密度为0.62Gb/mm2。

英特尔(Intel)和美光(Micron)在2015年8月推出了3D XPoint，打造出25年以来的首款新型态存储器技术。2016年，英特尔发布采用3D XPoint技术的Optane品牌储存产品，成为该技术最先上市的新一代高性能固态硬盘(SSD)系列。

根据TechInsights的材料分析，XPoint是一种非挥发性存储器(NVM)技术。位元储存根据本体( bulk)电阻的变化，并结合可堆叠的跨网格数据存取阵列。其价格预计将会较动态随机存取存储器(DRAM)更低，但高于快闪存储器。

TechInsights最近取得了英特尔Optane M.2 80mm 16GB PCIe 3.0并加以拆解，在封装中发现了一个3D X-Point存储器芯片。这是英特尔和美光的首款商用化3D Xpoint产品。英特尔3D X-Point存储器的封装尺寸为241.12mm2(17.6mm x 13.7mm)，其中并包含X-Point记体晶粒。该3D X-Point晶粒尺寸为mm2(16.6mm x 12.78mm)。

相较于DRAM产品，3D Xpoint的存储器密度较同样采用20nm技术的DRAM产品更高4.5倍，也比三星的1xnm DDR4高出3.3倍。Xpoint存储器产品采用20nm技术节点，实现0.00176μm2的单元尺寸，这相当于DRAM单元大小的一半。这是因为可堆叠的存储器单元，以及4F2取代6F2用于存储器单元阵列设计。

l2016全球工业半导体制造商排名

l内存强盛CPU式微 三星扶摇直上有望成全球头号芯片生产商
据美国半导体市场调研机构IC insights的数据分析，三星在2017年第二季度的芯片销售额估计会达到149亿美元，超过英特尔的销售额估值144亿美元。如果成真，这对三星而言将是"一个里程碑式的成就"。

英国《金融时报》也分析认为，如果内存芯片的价格在下半年不出现大幅度波动，三星全年的销售额将高于英特尔，成为全球头号芯片生产商。《金融时报》预估三星2017年的芯片销售总额为636亿美元，英特尔为605亿美元。