半导体周要闻 | 大陆发展晶圆制造业,28纳米仍是攻坚点
市场智能型手机AP出货量将年减10.8%
因2016年第4季下游厂商提前备货,供应链库存水平较高,加上农历年后拉货动能骤减,甚至有手机品牌商大幅递延AP出货要求,对AP备货策略转趋保守,使得2017年第1季大陆市场智能型手机应用处理器(AP)出货量季减31.9%。
2017年第2季大陆市场智能型手机AP出货预估成长力道不算强劲,主要系受到第1季下游库存调整,加上面板、内存等零组件涨价导致订单观望等因素,拉货动能最快将延迟到5月底才能见复苏。
DIGITIMES Research预估,虽受惠大陆推行4G规格功能机将于第2季启动及库存去化完成,第2季出货量将较第1季增加10.5%,达1亿2,985万颗,然出货量仍未能恢复2016年第2季水平,年减10.8%。
重庆研发全球顶级MEMS传感器芯片 监测精度提升10倍
这种芯片将用于监测桥梁、隧道等市政设施,监测精度比传统监测方式提升10倍。
经德国国家传感器研究院与中国传感器工程中心检测,这款芯片的多项指标超过了国际一流厂商,其性能优于霍尼韦尔、GE(美国通用电气公司)、西门子公司的同款产品,价格也仅为国外同款产品的七成。日前,德尔森公司与重庆市勘测院签署战略合作协议,将在我市桥梁、隧道、大型公共设施等市政设施的安全监测上使用该款芯片。
新加坡政府砸重金 诱半导体设厂
为了吸引半导体厂商前去投资,新加坡政府推出规模数十亿美元的奖励方案,领域包括提升生产力、自动化与科技研发。 美光科技(Micron)与英飞凌科技(Infineon)已决定在新加坡扩产。
利用新加坡政府的奖励方案,美光将斥资四十亿美元扩产闪存芯片,去年下半年已增产三分之一,今年上半年预计将维持相同增速。
新加坡政府推出的大型补助计划之一「生产力及创新优惠计划」,在二○一六年至二○一八年共编列预算卅六亿星元(廿六亿美元),另针对中小企业自动化提供四亿星元补助款,以及供新技术测试的五亿星元「未来制造业计划」。
22nm大战一触即发 新的甜蜜节点?
时间会告诉我们22nm是否会成为28nm这样的受欢迎的节点,或仅仅是一个商机而已,但它确实为代工客户提供了一些新的选择。实际上,独立的代工厂商、客户可以选择三种不同的22nm技术--bulk CMOS,FD-SOI和finFETs。
根据Gartner的说法,16nm/14nm芯片的平均设计成本约为8000万美元,而28nm平面器件的平均设计成本为3000万美元。据该公司称,设计一个7nm芯片要花费2.71亿美元。
市场研究公司国际企业战略(IBS)认为,要获得足够的投资回报,芯片必须创造比设计成本高出10倍的销售额。
据IBS预计,到2025年,28nm工艺带来的收入将从现在的100亿美元增长到140亿美元。
根据IBS的统计,SOI晶圆的销售价格从370美元到400美元不等,相比之下,bulk CMOS晶圆的价格为100美元到120美元。
英特尔第一季度营收148亿美元 净利同比增长45%
4月28日早间消息,英特尔今天公布了2017财年第一季度财报。报告显示,英特尔第一季度营收为147.96亿美元,与去年同期的137.02亿美元相比增长8%;净利润为29.64亿美元,与去年同期的20.64亿美元相比增长45%。
标准型内存激战台积电 三星 英特尔谁说了算?
目前三星电子正大力发展 MRAM 内存,而另一半导体巨擘英特尔 (INTC-US) 则是强攻含 3D XPoint 技术的 PRAM 型内存。
全球最大半导体代工厂台积电亦曾在 4 月 13 日对外说明,台积电绝对不会踏入标准型内存领域,因为台积电目前已具备"量产"MRAM 及电阻式动态随机存取内存 (RRAM) 等新型内存之技术。
《韩国经济日报》表示,磁电阻式随机存取内存 (MRAM)、相变化内存 (PRAM)、电阻式动态随机存取内存 (RRAM) 等三大次世代内存中,又以 MRAM 的处理速度最快,但也是最难量产的内存类型。
目前欧洲最大半导体商恩智浦半导体 (NXPI-US) 已经决定采用三星电子的 MRAM 内存,以应用在相关的物联网装置之上。
由于标准型内存 DRAM、NAND Flash 等微缩制程已逼近极限,目前全球半导体巨擘皆正大举发展次世代内存"磁电阻式随机存取内存 (MRAM)",与含 3D XPoint 技术的"相变化内存 (PRAM)"及"电阻式动态随机存取内存 (RRAM)"。
2016年全球十大MCU供应商排名出炉并购改变市场格局
7nm工艺竞赛 三星有望再次领先
台积电的10nm工艺眼下还处于提升良率中,三星则宣布已推出第二代10nm工艺,这是前者继14/16nmFinFET工艺败给后者后再次在10nm工艺上落败,而且这可能会影响到它在7nm工艺上再次落后。
第三季3D NAND Flash产出比重将
东芝与西数阵营部分,虽然之前已有48层堆栈的3D-NAND Flash,但整体发展重点仍在64层堆栈的产品上,预计最快于五月底开始送样测试,下半年可望顺利量产。
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