半导体周要闻 | 大陆发展晶圆制造业,28纳米仍是攻坚点

市场智能型手机AP出货量将年减10.8%
因2016年第4季下游厂商提前备货，供应链库存水平较高，加上农历年后拉货动能骤减，甚至有手机品牌商大幅递延AP出货要求，对AP备货策略转趋保守，使得2017年第1季大陆市场智能型手机应用处理器(AP)出货量季减31.9%。

2017年第2季大陆市场智能型手机AP出货预估成长力道不算强劲，主要系受到第1季下游库存调整，加上面板、内存等零组件涨价导致订单观望等因素，拉货动能最快将延迟到5月底才能见复苏。

DIGITIMES Research预估，虽受惠大陆推行4G规格功能机将于第2季启动及库存去化完成，第2季出货量将较第1季增加10.5%，达1亿2,985万颗，然出货量仍未能恢复2016年第2季水平，年减10.8%。

重庆研发全球顶级MEMS传感器芯片 监测精度提升10倍
这种芯片将用于监测桥梁、隧道等市政设施，监测精度比传统监测方式提升10倍。

经德国国家传感器研究院与中国传感器工程中心检测，这款芯片的多项指标超过了国际一流厂商，其性能优于霍尼韦尔、GE（美国通用电气公司）、西门子公司的同款产品，价格也仅为国外同款产品的七成。日前，德尔森公司与重庆市勘测院签署战略合作协议，将在我市桥梁、隧道、大型公共设施等市政设施的安全监测上使用该款芯片。

新加坡政府砸重金 诱半导体设厂
为了吸引半导体厂商前去投资，新加坡政府推出规模数十亿美元的奖励方案，领域包括提升生产力、自动化与科技研发。 美光科技（Micron）与英飞凌科技（Infineon）已决定在新加坡扩产。

利用新加坡政府的奖励方案，美光将斥资四十亿美元扩产闪存芯片，去年下半年已增产三分之一，今年上半年预计将维持相同增速。

新加坡政府推出的大型补助计划之一「生产力及创新优惠计划」，在二○一六年至二○一八年共编列预算卅六亿星元（廿六亿美元），另针对中小企业自动化提供四亿星元补助款，以及供新技术测试的五亿星元「未来制造业计划」。

22nm大战一触即发 新的甜蜜节点？
时间会告诉我们22nm是否会成为28nm这样的受欢迎的节点，或仅仅是一个商机而已，但它确实为代工客户提供了一些新的选择。实际上，独立的代工厂商、客户可以选择三种不同的22nm技术--bulk CMOS，FD-SOI和finFETs。

根据Gartner的说法，16nm/14nm芯片的平均设计成本约为8000万美元，而28nm平面器件的平均设计成本为3000万美元。据该公司称，设计一个7nm芯片要花费2.71亿美元。

市场研究公司国际企业战略（IBS）认为，要获得足够的投资回报，芯片必须创造比设计成本高出10倍的销售额。

据IBS预计，到2025年，28nm工艺带来的收入将从现在的100亿美元增长到140亿美元。
根据IBS的统计，SOI晶圆的销售价格从370美元到400美元不等，相比之下，bulk CMOS晶圆的价格为100美元到120美元。

英特尔第一季度营收148亿美元 净利同比增长45%
4月28日早间消息，英特尔今天公布了2017财年第一季度财报。报告显示，英特尔第一季度营收为147.96亿美元，与去年同期的137.02亿美元相比增长8%；净利润为29.64亿美元，与去年同期的20.64亿美元相比增长45%。

标准型内存激战台积电 三星 英特尔谁说了算？
目前三星电子正大力发展 MRAM 内存，而另一半导体巨擘英特尔 （INTC－US） 则是强攻含 3D XPoint 技术的 PRAM 型内存。

全球最大半导体代工厂台积电亦曾在 4 月 13 日对外说明，台积电绝对不会踏入标准型内存领域，因为台积电目前已具备"量产"MRAM 及电阻式动态随机存取内存 （RRAM） 等新型内存之技术。
《韩国经济日报》表示，磁电阻式随机存取内存 （MRAM）、相变化内存 （PRAM）、电阻式动态随机存取内存 （RRAM） 等三大次世代内存中，又以 MRAM 的处理速度最快，但也是最难量产的内存类型。

目前欧洲最大半导体商恩智浦半导体 （NXPI－US） 已经决定采用三星电子的 MRAM 内存，以应用在相关的物联网装置之上。

由于标准型内存 DRAM、NAND Flash 等微缩制程已逼近极限，目前全球半导体巨擘皆正大举发展次世代内存"磁电阻式随机存取内存 （MRAM）"，与含 3D XPoint 技术的"相变化内存 （PRAM）"及"电阻式动态随机存取内存 （RRAM）"。

2016年全球十大MCU供应商排名出炉并购改变市场格局

7nm工艺竞赛 三星有望再次领先
台积电的10nm工艺眼下还处于提升良率中，三星则宣布已推出第二代10nm工艺，这是前者继14/16nmFinFET工艺败给后者后再次在10nm工艺上落败，而且这可能会影响到它在7nm工艺上再次落后。

第三季3D NAND Flash产出比重将
东芝与西数阵营部分，虽然之前已有48层堆栈的3D-NAND Flash，但整体发展重点仍在64层堆栈的产品上，预计最快于五月底开始送样测试，下半年可望顺利量产。