40nm代工RRAM存储芯片，中芯国际进入下一代内存产业

中芯国际（SMIC）已经是国内最大、最先进的晶圆代工厂，除了处理器之外他们也在积极谋划存储类芯片业务。2014年9月份他们推出了自己开发的38nm NAND闪存芯片，日前中芯国际又跟Crossbar公司达成了战略合作协议，将使用40nm工艺为后者代工RRAM阻变式存储器芯片，意味着中芯国际已经进入了下一代内存产业。

RRAM阻变式存储器也被称为相变内存，RRAM使用一种或者多种含硫化物玻璃制成，其特点就是受热之后可以改变形状，成为晶体或者非晶体，而不同状态具有不同电阻值，因此可以用来储存数据。

与普通的DRAM相比，RRAM内存不仅写入速度快30倍，寿命延长10倍，而且RRAM内存在断电时不会丢失数据，所以它不仅可以替代内存，也可以替代闪存。目前Intel、三星等公司都在积极投身RRAM内存研发。

中芯国际合作的伙伴Crossbar是全球RRAM内存产业中的领导者之一，中芯国际将使用40nm CMOS工艺为其代工RRAM产品，将帮助客户将低延时、高性能和低功耗嵌入式RRAM存储器组件整合入MCU及SoC等器件，以应对物联网、可穿戴设备、平板电脑、消费电子、工业及汽车电子市场需求。