英特尔使出嵌入式DRAM大招，三星/海力士狂冒冷汗？

英特尔(Intel) 半导体龙头地位摇摇欲坠，与三星电子差距日益缩小，英特尔似乎下决心要扳倒后进，据称打算力推嵌入式DRAM (eDRAM)，减少对DRAM的依赖，让DRAM记忆体大厂三星和SK 海力士狂冒冷汗。

韩媒BusinessKorea 1日报导，当前DRAM市场由三星和SK海力士称霸，据传英特尔想削弱对手，第六代Skylake CPU配备eDRAM，提高图形运算效能。eDRAM和DRAM不同之处在于，eDRAM内建在CPU die内，DRAM则和CPU各自独立。业界分析师称，英特尔先前的Haswell和Broadwell晶片已内建eDRAM，原本是实验性质，如今已成为核心策略。日本和美国的半导体杂志也说，中长期而言，英特尔或许会整合CPU和DRAM，发展eDRAM。

报导称，英特尔作法仿效苹果，苹果A系列处理器效能极为稳定，数据和图形处理速度都快过Android机种。A系列晶片DRAM小于Android机，却因采用高效能SRAM和CPU有突出表现。和SRAM相比，eDRAM的优势在生产成本较低，容量较大。与此同时，英特尔的3D XPoint技术也可能重创DRAM，美国业者独霸个人电脑和伺服器 CPU，可能会借此推展新技术，如果3D XPoint用于伺服器、电脑、行动装置，未来可能成为业界主流，逼走DRAM。

BusinessKorea 8月7日报导，英特尔、美光7月29日宣布开发出新世代记忆体技术「3D Xpoint」，储存的资料比DRAM高出十倍，读写速度与耐受度更是NAND型快闪记忆体的1千倍之多，如此革新的技术让三星电子、SK海力士大为紧张。3D XPoint类似次世代ReRAM或PRAM科技，能完全改变资料储存的方式，半导体专家相信，自从东芝在1987年首次展示NAND型快闪记忆体之后，3D XPoint会是这30年间一个相当重要的变革。

外资也似乎不看好三星和SK海力士前景。韩联社报导，8月31日为止，外资连续第18天卖超韩股。外资卖盘集中在三星电子和SK海力士。8月5日到上周五为止，外资卖超了7,513亿韩圜(6.35亿美元)的三星持股。SK海力士是外资第二抛售对象，卖超额达5,498亿韩圜。

韩联社日文版8月18日报导，根据TrendForce旗下记忆储存事业处DRAMeXchange公布的报告指出，三星电子、SK海力士(SK Hynix )等韩厂早就在行动DRAM市场上握有绝对优势，不过非韩阵营溃败情势似乎尚未停歇，上季(2015年4-6月)韩厂市占率再度飙上新高、市占率首度冲破8成关卡。