18年技术积累要做Top3，中兴微电子也是蛮拼的

今年，中兴微电子正式开始从中兴内部走向前台，不仅为中兴自己提供自研芯片支持，还将对外出售芯片产品，设计解决方案，提供ASIC服务。

这也意味着中兴微电子将18年来在通信、多媒体和移动终端自研芯片的技术积累，经验等开放给外部市场，促进国内芯片市场发展，为我国厂商提供自主研发芯片的选择。在进入到芯片市场竞争时，中兴微电子也为自己定下了发展目标，三年内进入国内行业TOP3。

18年积累 自研芯片多领域开花

由于一开始，中兴微电子定位于服务中兴通讯各个事业部，为其提供芯片解决方案的支持，并不对外销售芯片，解决方案等。因此，知道中兴微电子的人很少，了解中兴微电子的人更少，但这并没有掩盖住中兴微电子的研发成就。

据了解，深圳市中兴微电子技术有限公司于2003年注册成立，是中兴通讯全资子公司，其前身是中兴通讯于1996年成立的IC设计部。截至目前，中兴微电子共申请IC专利1435 件。国内专利 1055 件、国际专利380 件。同时，多款芯片分别获得深圳市科技进步奖、广东省科技进步奖、深圳市科技创新奖等奖项。

在有线IC方面，据中兴微电子总工刘衡祁介绍，已经成功推出有分组交换套片、网络搜索引擎、网络处理器、以太网交换、OTN Framer、空分交叉芯片、G/EPON OLT处理器、终端ONU/MDU等40多颗芯片，目前正在积极推进产品系列化和产业化。制程工艺上，有线IC的芯片设计已全面采用28纳米工艺，逻辑规模最大已突破10亿门。

作为中兴微电子无线IC方面的负责人，中兴微电子副总经理张睿在接受C114采访时表示，中兴微电子在GSM/UMTS/TD-SCDMA/TD-LTE/ LTE FDD的多模和单模，宏站和一体化基站的基带、中频方面都推出了最新的高集成度的单芯片方案，为客户提供最具竞争力和用户体验的芯片产品。其正在研发的下一代无线芯片将采用16/14nm工艺，集成15个以上的最先进的处理器核，芯片规模预计将突破8亿门。

移动终端芯片可谓是IC设计的关键所在，中兴微电子在此领域也是投入重金，据中兴微电子副总经理倪海峰介绍，中兴微电子目前可以提供2G/3G/4G多模多频终端整体解决方案，提供基带处理器、射频、应用处理器、电源芯片等产品。

他还特意提到了，当前已经在量产商用，市场大批量发货的7510芯片平台，支持 TD-LTE/LTE FDD/TD-SCDMA/EDGE/GPRS/GSM的网络，LTE支持的能力等级可以达到Cat4，峰值速率可以达到150Mbps。计划在年底推出支持LTE的五模芯片和LTE-A的芯片，除增加对WCDMA的支持，在LTE速率上将有更大的提升，下行速率达到300Mbps，上行速率可以达到100Mbps，可以在速率上不断为用户带来更快的体验。

首次对外开放ASIC设计服务

除了将自己的芯片对外销售外，中兴微电子还首次对外开放了ASIC设计服务能力，来帮助有市场和产品能力，但在芯片设计领域技术薄弱的企业，设计生产定制化、个性化芯片。

中兴微电子副总经理田万廷告诉C114编辑，中兴微电子为客户开放从前端设计，物理电路设计，到封装设计测试等所有环节的设计服务。

中兴微电子ASIC设计服务提供四种服务模式： 芯片规格交接、代码交接、网表交接及封装规格交接。中兴微电子能够根据客户的具体需求提供灵活的合作模式供客户选择，为客户打造贴身的、定制化的、全方位的ASIC服务。

前端设计方面，业务范围包括芯片定义、RTL开发、IP集成、RTL验证、低功耗设计、综合等。在10多年的发展历程中，中兴微电子在前端SOC设计方面经历过智能手机AP、智能机顶盒芯片、家庭网关芯片、CMMB芯片、基站芯片等芯片的磨炼，有着丰富的积累。中兴微电子在SOC设计方面进行了流程和工具的大力优化：整理出时钟复位设计、低功耗设计等方面的规范；开发出一套完整的RTL层次设计方法学和自动化集成工具，提高RTL开发的效率和质量；为了与后端契合紧密，优化了前端开发的流程和节点定义，同时严格规定了各个阶段的交付物。

物理设计方面，业务主要是从90nm到目前最新的16nm工艺节点的芯片的物理设计与实现，具体包括了芯片版图设计、布局布线、时序收敛、低功耗设计等。着手打造了自主的芯片设计的自动化流程平台，极大提升了芯片后端设计的效率；在项目交付上，拟定了各个阶段的交付规范，使前后端工作交付界面清晰，标准一致，实现了无缝交接；在项目管理上，定制了一套行之有效的管理细则，将后端工作细分为多达几百项子任务，依靠一套严谨的审查制度保证项目质量。

封装设计方面，包括封装SI、量产测试和DFT三个小组，业务涵盖封装设计、信号完整性分析、DFT设计、ESD分析、ATE测试、可靠性测试分析。完