ST芯片制造技术FD-SOI获毕博和《拓展》的创新管理奖

意法半导体的全耗尽型绝缘层上硅(FD-SOI)技术，被誉为半导体芯片微型化进程中的突破性成果

中国，2013年10月18日 --横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）宣布其FD-SOI技术荣获誉满业界的"毕博创新管理奖"（"创新生态系统"类别）。

在过去50年里，半导体工业为实现不断提高计算能力的需求所作的努力始终遵循着摩尔定律，集成电路的晶体管数量大约每两年就翻一倍。但是，随着电路尺寸越来越小，芯片企业在晶体管设计上遇到缩减基本尺寸的难题，现在这一挑战限制了晶体管的性能提升。作为电子电路微型化研发领域的一项重大突破性进步，意法半导体的全耗尽型绝缘层上硅(Fully Depleted Silicon-On-Insulator，FD-SOI)技术证明，FD-SOI芯片能够让今天的数字电子产品提速30%，同时降低30%的功耗。从网络向移动设备创建、传输、存储和使用数字内容时，FD-SOI芯片可大幅降低相关设备的功耗，这不只有助于提升用户的生活品质，还有助于解决与节能相关的社会问题。

毕博是一家独立的管理和技术咨询企业，为70多个国家地区的客户及其全球咨询网络提供服务。比博整合行业技能、运营能力和技术能力与相关专属资产和其它资产，按照每个客户的个别需求提供量身订制的解决方案。

第6届创新管理奖是由毕博与法国杂志《拓展》（L’Expansion） 编委会和法国知名的理工大学法国国立路桥大学联办。根据360名（企业和公共机构）决策者的意见，本年度提交60份申请，从中评选23份创新管理最佳方法案例提交给专家评委审评，评委会再将其分为四大类，从每一类中评选一个优胜企业。

毕博法国荷比卢经济联盟区总裁Eric Falque表示"在战略上，意法半导体决定在早期研发阶段选择多个合作伙伴。这是最与众不同之处。 然后，在一个竞争非常激烈的市场上，这项新的数字技术被定位在速度较高的技术。"

意法半导体执行副总裁兼首席战略官Georges Penalver表示："我们十分荣幸获得毕博、《拓展》（L’Expansion）杂志和法国国立路桥大学的奖励。FD-SOI技术是我们的科技研发成果，归功于我们的长远战略目标和持之以恒的坚强意志。FD-SOI技术能实现速度更快、散热更少，更简单、这项技术将加强意法半导体在构筑微电子工业未来中的作用。像FD-SOI成功一样，这项大奖对于意法半导体及其员工和合作伙伴来说是一个非凡的成就。"