格芯宣布推出基于行业领先的22FDX FD-SOI 平台的嵌入式磁性随机存储器

先进的嵌入式非易失内存解决方案在22纳米工艺节点上扩展片上系统（SoC）性能，实现"智能互联"

格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22纳米 FD-SOI (22FDX®)平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器（eMRAM）技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案，格芯22FDX eMRAM，为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。

正如近期在美国所展示的，格芯22FDX eMRAM具有业界领先的存储单元尺寸，拥有在260°C回流焊中保留数据的能力，同时能使数据在125°C环境下保留10年以上。这项行业领先的技术优势使其能够被用于通用、工业和汽车领域的微控制器单元(MCU)。FDXTM和eMRAM的能效连同射频连接功能和毫米波IP，使得22FDX成为电池驱动的物联网和自动驾驶汽车雷达片上系统(SoCs)的理想平台。

"随着越来越多的应用需要高性能、非易失性的内存解决方案，客户都在设法扩展产品的能力。"格芯eMRAM事业部副总裁Dave Eggleston表示，"我们很高兴能发布22FDX eMRAM。作为一种具有卓越可靠性的嵌入式内存技术，它能够为系统设计者在微控制器（MCUs）和片上系统（SoCs）中提供更多功能，同时提高其性能和能效。"

格芯eMRAM的高可靠性和可扩展性使其在多个市场的先进工艺节点上都是一个成本优化的选择。此外，格芯eMRAM的多功能性让其能同时兼备快写性能与高持久性，这也使得它能同时被用于代码存储和工作存储。这一22FDX eMRAM的推出是格芯与Everspin 科技公司多年合作的成果。目前，1Gb容量的双倍速率MRAM芯片已进行了演示并提供样片，256Mb容量的双倍速率MRAM芯片已量产，并由Everspin独家供货。

22FDX eMRAM和射频解决方案的工艺设计工具包现已发布。面向22FDX eMRAM客户样片的多项目晶圆(MPWs)正在如期进行中，并将在2018年第一季度交付，且计划于2018年底进行风险量产。格芯及其设计合作伙伴已推出eMRAM定制设计服务，包括从2Mb到32Mb容量的eMRAM，并提供设计便捷的嵌入式闪存（eFlash）和静态随机存储器（SRAM）接口选项。