闪存技术正持续演进和扩大规模来满足新的产业发展趋势之需要

方案，已与多家晶圆合作伙伴合作生产超过3年，本次推出的0.13um pFusion嵌入式闪存解决方案，系扩展其应用领域，提供许多非接触/接触双适配卡产品更进一步降低成本的途径。

常忆科技创立于1995年，该公司由pFlash和pFusion两个事业单位组成，前者pFlash主要为开发和生产标准型NOR内存，后者pFusion则负责将嵌入式非挥发内存的生产技术及智财权授权予晶圆代工厂及IC设计公司，并提供客制化设计及技术咨询服务。

pFlash和pFusion的擦写规格包括20万次擦写后仍可保存数据长达20年，以及低于百万分之四的出货质量水平。常忆pFusion事业处总经理张有志指出，"存储单元具有专利的双晶体管PMOS 和band-to-band-tunnel(BTBT)的数据写入机制，可确保最佳的擦写与读取性能、智财面积的最小化、以及最短的测试时间。此外，闪存单元的制造技术使用传统的ETOX结构，使工厂的生产和微缩更简单容易。"常忆并预计于2014年推出65nm pFusion嵌入式闪存解决方案。

张有志表示，就目前常忆的营收比例而言，仍以标准型NOR内存的贡献较大，然而，智财权(IP)收入的比重虽低，但毛利率相当高，张有志指出，"在IP部分，我们目前的主要客户为和鉴、中芯等。未来将积极打入其他晶圆代工业者，致力拉升营收比重。"

就全球嵌入式闪存产业生态来看，以常忆及SST(已并入Microchip)这两家公司耕耘嵌入式闪存IP最深，而随着全球手机支持手机付费功能及触控功能的发展，常忆科技在此领域的成绩颇受期待。