ARM：英特尔FinFET工艺领先，SoC领域却输给我们了

据台积电(TSMC)称，英特尔公司正在与某些ARM合作伙伴的晶圆代工厂开发一种领先的处理器工艺技术， ARM CEO Warren East表示没有关注此事，原因是在2015年下半年以前FinFET工艺ARM处理器都不会量产。

FinFET技术将会用于晶圆表面的晶体管，它能改进晶体管的性能同时还减少截止状态下的漏电流。英特尔已经量产22纳米FinFET CMOS工艺，与此同时，TSMC正在努力提升其28纳米的平面CMOS工艺产能来满足客户。

尽管如此，East对电子工程专辑表示，在SoC技术竞争中， ARM与TSMC要领先于英特尔。"我们关注集成的SoC。在SoC制造上，英特尔还在采用32纳米的高K值金属栅极平面CMOS，而TSMC已经在采用28纳米的高K值金属栅极技术。对我而言，这并不算是一个很大的领先，但认真说起来还是TSMC在领先。"

East说英特尔22纳米FinFET技术主要用于量产PC芯片，但如果是用它来生产拥有多项功能的SoC芯片就不是一件容易的事。

英特尔用Atom架构的32纳米Medfield处理器来设计智能手机和平板电脑。它期望在2013年采用22纳米FinFET CMOS工艺来生产Atom低功耗处理器，该处理器被命名为Silvermont。而Merrifield处理器将被定位于高端智能手机的22纳米FinFET应用。

在问到如何评价TSMC的16纳米FinFET工艺和UMC的20纳米FinFET工艺，East称："很难准确地说，什么时候ARM处理器会采用FinFET工艺。"

ARM处理器内核同样支持意法半导体开发出的28纳米全耗尽SOI(FDSOI)工艺，该工艺已经转移给GlobalFoundries，后者预期将工艺缩小到20纳米。