新兴存储技术突破多 大规模商用待考

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　　三种新存储技术

　　PRAM：一种非易失性存储技术，基于硫族材料的电致相变，以前在批量生产时总是难以获得稳定性。相变材料可呈现晶态和非晶态两种状态，分别代表了0和1，只要施加很小的复位电流就可以实现这两种状态的切换。

　　MRAM：一种非挥发性的磁性随机存储器，所谓"非挥发性"是指关掉电源后，仍可以保持记忆完整，功能与FLASH雷同；而"随机存取"是指中央处理器读取资料时，不一定要从头开始，随时可用相同的速率，从内存的任何部位读写信息。MRAM运作的基本原理与硬盘驱动器相同。和在硬盘上存储数据一样，数据以磁性的方向为依据，存储为0或1。它存储的数据具有永久性，直到被外界的磁场影响之后，才会改变这个磁性数据。它拥有静态随机存储器SRAM的高速读取写入能力以及动态随机存储器DRAM的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。

　　FRAM：一种非易失性存储技术。FRAM的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使得铁电存储产品同时拥有随机存取存储器(RAM)和非易失性存储产品的特性。铁电晶体材料的工作原理是，当把电场加到铁电晶体材料上，晶阵中的中心原子会沿着电场方向运动，到达稳定状态。晶阵中的每个自由浮动的中心原子只有两个稳定状态。一个用来记忆逻辑中的0，另一个记忆1。中心原子能在常温、没有电场的情况下停留在此状态达一百年以上。铁电存储器不需要定时刷新，能在断电情况下保存数据。由于在整个物理过程中没有任何原子碰撞，FRAM拥有高速读写、超低功耗和无限次写入等超级特性。