华虹拥先进Super Junction工艺平台提供更低耗、高效

香港2014年11月电 /美通社/ -- 全球领先的200mm纯晶圆代工厂 -- 华虹半导体有限公司拥有业界一流的的沟槽型600V-700V Super Junction（超级结结构）MOSFET（SJNFET）工艺平台，可为日益增长的移动终端、4G网路、云计算和 LED 照明等热点应用，提供更低功耗，更高效率，更小尺寸的绿色芯制造平台。

随着移动互联网、绿色能源技术的发展，以及全球节能减排的趋势，产品应用对电源系统提出更高的效率要求。作为开关电源，充电器/适配器不间断电源和LED驱动等电源系统整流的核心器件，功率半导体是降低功耗、提高效率的关键。革命性的超级结结构器件应运而生，打破了传统 MOSFET 器件的"矽极限"（导通电阻正比于击穿电压的2.4~2.6次方），在同样的封装条件下能够实现更低的导通阻抗和更快的开关频率。目前，这一技术主要由少数几个国际产品大厂所掌握，华虹作为专业的200mm 纯晶圆代工厂，创新性地推出了先进的 SJNFET 工艺平台，可以为广大客户提供业界一流的 SJNFET 产品制造服务。

凭藉10多年的功率器件技术优势，华虹于2010年突破了深沟槽刻蚀填充工艺的世界级难题，推出了独特的具有自主智慧财产权的沟槽型 SJNFET 工艺平台，可以支援500V~900V不同电压等级的产品生产。与传统的多层外延型 SJNFET 工艺相比，沟槽型结构具有光刻层次少、结构简单、高温特性好、制造周期短和性能提升潜力大等优点。同时，华虹在北美有超过10个，中国内地超过100个的 SJNFET 相关专利授权，可以为客户提供平台化代工服务，极大地缩短客户产品 time-to-market 的时间。

多家客户基于华虹平台设计的 SJNFET 产品展现出优异性能，并于2011年实现量产。在此基础上，华虹于2012年底又成功推出第二代 SJNFET 工艺平台，与第一代产品相比导通电阻降低了30%（单位面积导通电阻1.8 ohm.mm2），达到业界一流水准，并且拥有更快的开关速度、更低的开关损耗、更小的晶片面积、更强的短路耐量和抗电磁干扰能力。到目前为止，华虹 SJNFET 工艺平台已有全球合作夥伴超过20家，工艺良率稳定在98%以上，为业界一线终端厂商提供可靠的高压功率晶片。截至2014年八月，公司 SJNFET 平台出货量已超过4万片。

华虹将继续发挥自身工艺和研发优势，拟推出世界领先的第三代 SJNFET 工艺平台，进一步巩固公司于功率分立器件领域的领先地位，协助客户推出更具竞争力的产品，持续为世界制造绿色芯。