预测：2010年十大潜力新兴技术

7. 生物电子与人脑研究

在2010年，研究阶段的进展似乎多过于开发阶段，但生物学与电子学的结合技术，已经成熟到可以应用。我们已经对那些植入动物体内的硬件组件习以为常，像是 宠物芯片等注射到动物皮下的电子卷标，或是人类应用的心律调整器；而想要在提升医疗照护质量同时，又能降低相关费用的需求也是越来越急迫。

产业界在微机电系统(MEMS)、有机电子组件制造等方面技术的进展，改善了活体组织与电子电路的整合程度。实验室单芯片(Lab-on-a-chip)就 是相关技术的展现之一，IBM最近也发表了该类芯片样品；未来甚至也有可能在可电子寻址的基板上培育生物细胞。实现生物体外诊断的可能性已经很确定。

这类技术的主要目标，是探索个别细胞的电气特性信息与它们对药物的反应，以进行心脏与神经方面的疾病，如阿兹海默症(老人失智症)、帕金森氏症等方面的研究。所以短期之内，我们可预期将有更多生物电子学技术跃上台面。

8. 电阻式内存/忆阻器

业界对通用内存的追寻仍在持续；这种内存需要像DRAM那样简单，甚至最好能像是那些电容器。此外理想的内存要能在断电情况下仍能保存数据数年，使用 循环周期至少要达百万次等级；这类内存最好使用传统的制造方法就能轻松生产，使用的材料也别超出传统晶圆厂可负担的范围…

但遗憾的是我们迄今尚未发现梦幻内存…是这样吗？

2009 年，在导电金属氧化物(conductive metal oxide，CMOx)技术领域默默耕耘七年的Unity Semiconductor终于熬出头；其他也有内存相关技术进展的新兴业者还包括4DS、Qs Semiconductor与Adesto Technologies。

我们也看到许多较大规模的IDM厂积极进军电阻式内存(RRAM)，还有忆阻器(memristor)技术的发展。相关信息可参考：全新忆阻器改写电路理论　RRAM可望成为杀手级应用？

9. 直通硅晶穿孔

在先进硅芯片表面最上方的导线堆栈(interconnect stack)深度，可以达到很深且非常精细的程度；而我们认为这样的趋势将导致芯片前段(front-end)制程分成不同阶段，甚至可能分别再不同的晶圆厂进行。

这种将多层裸晶堆栈在单一封装内部的需求，需要更细致的导线；而直通硅晶穿孔技术(through-silicon-via，TSV)能完全穿透硅晶圆或裸晶，是制造3D芯片的重要关键。Austriamicrosystems公司已在2009年五月开始生产TSV组件，锁定供应将CMOS芯片与传感器组件 等进行3D整合的客户；类似的组件在2010年将会有更多。

10. 五花八门的电池技术

已经非常成熟的电池技术无法像是依循着摩尔定律(Moore's law)的IC那样，继续在能量密度上有所进展；但无可讳言，虽然我们希望电池能储存更多的电能，那也有可能带来其他的安全性风险。

各种可携式电子设备都需要电池来供电，诉求环保的电动车若是少了电池也不再有未来；最近在镍氢、锂电池化学成分的研究上有一些最新发展，有家ReVolt公司则开发出可充电的锌空气(zinc-air)电池。预期在2010年将会诞生更多具备智能功能的新颖电池技术。