功率器件凸显节能 主流厂商各具优势

术开发的焦点是提高效率、增加功能性和减小体积。飞兆半导体能够利用先进的工艺和封装技术，将功率模拟和功率分立功能集成于创新的封装中，从而显著改善客户应用的能效和成本/性能比。我们利用在功率领域的领导地位，加上对客户需求和市场趋势的丰富知识以及强大的半导体技术力量，积极开发能不断实现电子产品创新的高能效产品。飞兆半导体的高能效解决方案在改善环境状况方面发挥着必不可少的重要作用。

　　飞兆半导体与客户，即当今领先的电子产品制造商密切合作，了解未来产品的功率设计挑战，再综合不同的解决方案以应对这些挑战，从而最大限度地减少电力需求，最终为客户带来能满足功效、噪声或其他政府法规要求的好处。飞兆半导体的关键优势，在于结合了强大的产品和技术知识，以及与全球客户的长期合作伙伴关系。

　　郑兆雄：功率器件面临的挑战主要在于提升电源在满载工作条件下的能效，以及降低待机状态下的能耗。在这方面，安森美半导体采取整体性的途径来 解决待机功耗、工作能效和功率因数方面的问题，我们已经从提供领先的产品过渡到提供领先的整体解决方案，覆盖"从插口到插袋"的应用。

　　就功率器件而言，如前所述，它的一个重要发展趋势便是与集成电路的结合越来越紧密。举例来说，功率MOS型器件为了达到更好的性能，如要求更低的导通电阻，其工艺已从二十年前的几微米的技术迅速向亚微米甚至深亚微米发展。这与集成电路工艺技术的发展方向是一致的。其次，MOSFET器件的封装技术也在向大规模集成电路的封装靠近，如近年来，功率MOS器件也采用了诸如倒装(Flip)、球栅阵列(BGA)和多芯片组件(MCM)等较新的集成电路封装形式。

　　此外，对于功率器件而言，由于会有大量热量产生，因此散热就非常重要。例如，安森美半导体最近推出了高能效、低Vce(sat)双极结(BJT)晶体管产品系列，为市场提供了最丰富的高性能BJT选择。NSSxxx系列低Vce(sat)表面贴装器件是低功率耗损和高散热性能领域的领先产品，专为对能效控制要求极为严格的低压转换应用而设计。

　　对于安森美半导体而言，我们的技术发展策略就是深入理解终端产品的应用需求以及客户的应用要求，以及针对集成度越来越高的趋势提供更多的增值型新产品。

　　吴志民：关于当前面临的挑战，主要在于我们的客户希望新一代的电源管理解决方案具备高能源效率、高集成度及封装小巧等优点。因此，美国国家半导体一直致力于开发创新的电源管理技术，其中包括可支持崭新电路布局的集成电路、功率密度更高的全新工艺以及超小型的封装。此外，我们也为微处理器及射频功率放大器提供能源效率极高的电源管理系统解决方案。新方案的特点是采用闭环或开环的反馈控制方法，因此可以确保电源管理芯片能按照系统的实际供电需要提供刚好满足其要求的电压及功率输出。最后要提的一点也很重要，那就是我们不断改善WEBENCH网上仿真测试工具，以便为客户提供完善的设计技术支持，在这方面来说，我们是市场的领导者。最近，我们为WEBENCH设计工具添加多个新亮点。例如，新添加的"性能按钮"可让用户轻易优化其电源供应系统设计，而且用户选用设计方案时，可特别指定以效率还是以方案体积为决定性的考虑因素。此外，WEBENCH还添加了可支持LED设计的新工具。客户只要选定LED的配置，WEBENCH便可为客户挑选最适用的LED驱动器，让客户可以马上进行模拟测试。

　　张 丹：半导体功率器件种类繁多，有绝缘栅双极晶体管(IGBT)，场效应晶体管(MOSFET)，PFC控制器，智能电源芯片(IPD)，电源管理芯片(PM IC)等诸多产品。其中，绝缘栅双极型晶体管兼备场效应晶体管的高速性能和双极型功率晶体管的低电阻性能，使其成为大功率应用领域的理想功率开关器件。根据具体应用，其特点及具体参数的要求也多有差别，不宜一概而论，以下仅以消费电子领域里的等离子电视(PDP)的应用为例叙述功率器件面临的挑战及技术发展趋势。

　　等离子电视(PDP)的Y-SUS基板(Scan)和X-SUS基板(Sustain)上的能量恢复电路及维持电路需要大电流控制及高速开关特性。与场效应管比较，饱和电压在170V以上时，IGBT的输出电流将大大超过MOSFET，即Vce(sat)特性会更好。而另一重要指标Tf(Turn off)虽不如MOSFET，但通过电子照射确实可以实现开关高速化。因此，IGBT已替代MOSFET成为在PDP-SUS基板的最重要分立器件。现在，为了使等离子电视(PDP)的显示更具效果，IGBT还需一定程度地提高工作电压来增大电流。同时，考虑到散热及成本等因素，在封装和制造工艺上也在寻求更进一步的改进。

功率器件产业在今