IR 拓展了中压功率 MOSFET 产品组合，推出采用 PQFN 封装和铜夹技术的新产品

标准

IRFH5110TRPBF

PQFN 5x6mm

100 V

63A

12.4 mOhm

48 nC

标准

IRFH5210TRPBF

PQFN 5x6mm

100 V

55A

14.9 mOhm

39 nC

标准

IRFH5015TRPBF

PQFN 5x6mm

150 V

56A

31 mOhm

33 nC

标准

IRFH5020TRPBF

PQFN 5x6mm

200 V

41A

59 mOhm

36 nC

标准

IRLH5034TRPBF

PQFN 5x6mm

40 V

100A

最大2.4 mOhm

43 nC

逻辑电平

IRLH5036TRPBF

PQFN 5x6mm

60 V

100A

最大4.4 mOhm

44 nC

逻辑电平

IRLH5030TRPBF

PQFN 5x6mm

100 V

100A

最大9.0 mOhm

44 nC

逻辑电平

新器件现已接受订单，数据表和应用说明已刊登于 IR 的网站 http://www.irf.com。

IR简介

国际整流器公司 (简称 IR，纽约证交所代号 IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR 的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ，是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。

IR 成立于 1947 年，总部设在美国洛杉矶，在二十个国家设有办事处。IR 全球网站：www.irf.com，中国网站：www.irf.com.cn。

专利和商标

IR^® 和 HEXFET^®是国际整流器公司（International Rectifier Corporation）的注册商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标。