IR推出新型逻辑电平沟道MOSFET，提供基准效率和更高电流额定值

功率半导体和管理方案厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻 (RDS(on)) 和高封装电流额定值，适用于高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用。

新系列基准MOSFET采用了IR最新的沟道技术，可在4.5V Vgs下实现非常低的RDS(on) ，显著改善了热效率。此外，这些器件具有更高的电流额定值，多余瞬变可以带来更多防护频带，并可减少由多个MOSFET共享高电流的并行拓扑结构的元件数目。与典型封装额定值相比，由于封装电流额定值高达195A，TO-220、D2PAK和TO-262封装的改善超过了60%；与标准D2PAK封装相比，7引脚D2PAK进一步降低了多达16%的RDS(on) ，功能更为完善。

IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示："新推出的逻辑电平栅极驱动沟道MOSFET具有基准RDS(on) ，能够由微控制器或弱电池驱动，提升其在轻负载条件下的效率。这些新元件非常适合高电流DC-DC转换和DC电机驱动应用。"

新型逻辑电平沟道MOSFET系列的电压范围为40V至100V。该系列已获得工业级和MSL1潮湿敏感度认证，更具备所有标准功率封装，包括TO-220、D2PAK、TO-262 以及7引脚D2PAK。新元件不含铅并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

产品的基本规格如下：

封装有所限制

新器件现已开始供应。产品详细数据可浏览IR网站：www.irf.com。

IR简介

国际整流器公司 (简称IR，纽约证交所代号IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ，是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。

IR成立于1947年，总部设在美国洛杉矶，在二十个国家设有办事处。IR全球网站：www.irf.com，亚洲网站：www.irf-asia.com ，中国网站：www.irf.com.cn。