阻抗计算时的H和H1的值是多少啊？怎么来的？

叠层设置……

叠层设置是这样的TOP/GND02/INNER03/POWER04/GND05/INNER06/POWER07/BOTTOM,顺便问一下上面的叠层设置如果改为TOP/GND02/INNER03/POWER04/POWER05/INNER06/GND07/BOTTOM哪种比较好呢

我自己计算的结果如下,不知道对不对,计算单端阻抗的时候我选H为4MIL,差分计算的时候我选H1=4MIL,H=14MIL,就是走线层绝缘材料的厚度和层压厚度,但是这两个值不知道应该参考哪里来的
USB：
IMPEDANCE：90 OHM
L1/L8：6/5.5 MIL   89.06               L3/L6：5.5/8 MIL   90.73
HDMI：
IMPEDANCE：95 OHM
L1/L8：5.1/5.5 MIL   94.32               L3/L6：5.1/9 MIL  95.23
LVDS：
IMPEDANCE：100 OHM
L1/L8：5.1/7 MIL    99.95         L3/L6：5.1/10 MIL     96.31
DDR：
CLK：
IMPEDANCE：65 OHM
L1/L8：10.5/5  MIL    67.57         L3/L6：8.5/5 MIL     68.53
DATA STROBE：
IMPEDANCE：85 OHM
L1/L8：6.5/5  MIL  84.41         L3/L6：5.5/5.5 MIL     85.62
DATA CONTROL COMMAND：
IMPEDANCE：37 OHM
L1/L8：11.5 MIL  40.68       L3/L6：7.9 MIL     40.15

最后一个值都是实际计算出来的结果,与要求值比较接近,但是有一个问题,最后一个要求37OHM的阻抗,表层要走11.5MIL的线宽,这样在DDR的颗粒是比较宽的线,如果空间有限,很难做到的啊

所以怀疑计算结果不对

当计算的时候,是不是所有的计算中的H和H1都是固定了的,还是不同层可以填不同的值呢

没人回答,自己顶