请教集成电感保护环Layout画法, thx
如果要用pattern ground shield 和 grounded broken guard ring， 一般的做法是怎样的。假如我是９层金属工艺，用顶层做spiral。
非常感谢！
Hi,我个人认为你有９Ｍ，所以用Ｍ１，或者Ｐoly作sheilding都是可以的，一般的做法是在电感下面作个园，或者８边形，然后将它切碎就好了，切碎的原因是防止产生感应电流。
:hug:
:victory:
Hi, ipmsn5,
你的回复很有帮助，多谢啦
我目前只在一些书上看到过pattern ground shield的画法，没有看过版图的实例。能否问下，如果用poly做，一般要画多大啊?有怎样的讲究呢?
多谢多谢
一般来说比你的inductor大一些就好了
一般来说比你的inductor大一些就好了，
和你inductor模型一下，比如说都用8边形或者都用6边形，shielding最后要切碎就象我们切蛋糕一样的，这样防止感生电流。
very useful！
我上传一个我设计的电感吧。工作在17GHz, 八边形结构。
Inductor下面的鱼骨形吗是最基本的M1ground，还有白色网格形（未能显示清楚）是polysilicon的shielding，跟inductor一样是八边形，不过大一圈。
Hi, ipmsn5
多谢你的回复
是切成扇形吗?
有地方说什么shield条要和电感电流方向垂直（看图），这样互感最小，是否有这么讲究啊。另外，shield对inductor的影响能仿真不?
Hi, suneyeslee ,
能否再问下,你的设计是用了M１和poly 两层shield，它们的形状和大小是一样的么?（不好意思，图上没有看明白你说的poly层）
另外，Poly和M１的shield一般怎样接地? 我看到有地方说是shield引出到外部接地。看到你的右图有一条垂直的M１的连线，是把所有M１shield都short在一起么?
请多指教啊，bow 了先
回楼上的话，
因为sheilding的金属或者poly的电流如果和你inductor的电流垂直，那么感生电流就是最小，这样耦合效应自然也就最小了，我觉得４边形，你那样就好了，不过楼上那位的８变形如果画成扇形就更好了，个人意见，欢迎讨论，
提供nordic的一种用顶层金属M4和M3来做集成电感的照片，没有任何Shield和guard
供参考
集成电感照片
我选用八边形是为了maximize电感的Q值，在BiCMOS工艺下，八边形仿的是25，四边形差不多22。不过四边形的设计相对简单些，很多地方都采用这种topology。不知ipmsn5所说的扇形电感又何优越性啊?
poly的shielding层我做成floating的，没有跟substrate连，这样虽然有stability risk，但是也把与基底的寄生电阻降到最低。但是事实上，我发现去掉了sheilding层，Q的变化微乎其微啊 ，不知ip有没有这方面的经验?
我的M1是整个chip的ground，所有passive components下面都铺的有。
poly才是shielding层，但是没显示出来。
这些你用momentum都能仿，但是要注意via和pins，会影响精准度，而且超慢的。
我也贴个图吧
我也贴个图吧
学习，非常感谢，请问版图是一条线一条线划得吗?还是直接调用?（我没找到能直接调用的）还是通过软件仿真生成然后再导入的，例如在导入的cadence?很想知道
流过片，发现添加屏蔽层，跟不添加没有什么影响。这种差别基本掩盖在测试误差里。
soc的时候屏蔽才有意义，简单的test-chip当然没用了。
学习，非常感谢
问一下，我的shield在M1，但是一条条的太多了，Momentum跑的太慢了，应该怎么做简化?我有以下几个idea
1. 把整个M1 shield删掉仿真，希望没有shield和有shield差不多
2. 把M1 shield弄成一整块，这样Momentum放起来也快，不过弄成一整块不知道Momentum仿真的时候会不会就计算出有eddy current，造成和实际的很大的误差
学习了，感谢
添加PGS主要目的是提高电感Q值吧?（防止电感能量直接耦合到衬底上形成涡流白白损耗掉?）所以应该不是屏蔽其他模块辐射干扰的目的吧?为什么测试会看不出来加与不加的区别呢?是因为PGS浮空没有接地么?
markmark
学习了，感谢