新手请教几个关于保护环和latch－up的问题

请问：
1、保护环应该在什么时候加才合适?
2、多子保护环事实上就是衬底接触跟井接触对吗?
3、只用到PMOS或者NMOS的电路需要加保护环吗?
4、一般加保护环都是加多子保护环吗?少子保护环常用吗?
5、多子保护环跟少子保护环相比，那个效果比较好呢?
6、看了几篇关于说明Latch－up的文章，都发现其中的举例都是把P管和N管的漏极连在一起的，如果P管和N管只是相互靠近，但它们的漏极没连在一起，会出现Latch－up吗?
这是小弟看到保护环时的一些迷惑，请前辈们不吝赐教！

怎么没人回复呢，发错地方了吗，自己顶一下

Guard ring主要作用是防噪声隔离，大多会用双环。
Latch up很多书上都有介绍。

保护环一般要求不高可以采用衬底大面积接地（如环形衬底接地其实也就是保护环了），要求高的话可以采用double guadring的形式，即：以chrt35工艺为例，在NMOS 外加一圈P+guadring(PCOMP+CONTACT+METAL1),再加一圈N+ GUADRING(NCOMP+CONTACT+METAL1)，至于是不是就是衬底接触，不同的工艺可能要求不一样，尤其是有的用的是pdiff，浓度可能不同罢了，可以参考设计规则手册，上面一般都会有说明。

好问题哦,也想知道.......
自己的想法啦,不对地方恳请各位给予纠正...
1.衬底电位和阱电位应该是必须要的吧,抗noise和防latch -up时均需要吧
2.多子和少子的定义应该是和保护环收集的载流子有一定的相关性吧
3.呵呵 需要的 这个问题有点...
4.也用啊,特别是在防latch up时
5. 小编可能需要明白latch up发生的机理,能看到PNPN架构吗?能满足latch up发生的条件吗?

少子保护环和多子保护环怎样区分呢?

很简明的回复，如果是双保护环的话，那么里边的环对应少子保护环，外边的环对应多子保护环，是这样的吗?

学习学习

学习学习

latchup的机理首先是局部区域大电流。没有大电流发生，latch-up发生概率就很小。
最可靠的是增加NP管间距15um。guardring必须的，但不是最有效的。