微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微波和射频技术 > RFIC设计学习交流 > TSMC018工艺MIMCAP保护环

TSMC018工艺MIMCAP保护环

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
TSMC018工艺MIMCAP的保护环是里边一圈P型外边一圈n型 它们之间用金属连着的那是应该接高电位还是低的呢

解决了 接高

高低都可以,一般接高电平,隔离衬底噪声

是的啊 与衬底形成反偏请教你另外一个问题我做LC-VCO的 p管宽长比为60/2,n管为21/2,这两个管子的叉指数应该如何选?主要是从哪方面考虑呢

没做过vco, 期待别人解答

请问小编,如果我使用with shield 的mos cap, 第三端应该接在哪里呢?

一样的道理 p型接地 n型接电源

请教一下,p型和n型都接高电平了?但是衬底不是要接地的吗?p型和n型接在一起的话 衬底的电平不就不一样了吗?

mimcap里还有通孔。

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top