怎么判断一个MOS管是否处在亚阈区啊?
时间:10-02
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怎么判断一个MOS管是否处在亚阈区啊?我想把bandgap的功耗做小,但又担心管子进入亚阈区,该怎样判断啊?
以前好像有人提过是多少uA 每个W/L的,请高手指点,谢谢!
subthreshold 不是挺正常的,为啥不想用啊
呵呵,楼上的回答挺搞笑的!
看vgs-vth判断工作区
可以在仿真后results里面查看
是啊 饱和区和亚阈值区其界限是什么呢
ADE中print可以打印MOS管的参数,在列出来的数据倒数位置,有一个region,0表示截止,1表示线性,2表示饱和,3表示亚阈值。
谢谢指点! spectre run完DC后,在Result > Print > DC Operation Point 里找到了了这一项。
晕,原来ADE 就是analog design envirentment啊,一直都以为是其它的tools
对啊,以前就是用10楼的方法看的,print管子的参数
亚域值区工作的MOS管相当于三极管,用来做超低功耗基准最好了。在RFID等超低功耗芯片中都是这么干的。
看电压值判断
请问hspice 有输出工作区的功能吗?
现在要低功耗就要亚阈值,大家已经不大care是否亚阈值了。
您好,请问region=4是什么工作区呢?
Hello,好像国内工艺的Vth在Corner的变化范围最小都有+-150mV,亚阈值区的设计能否实现值得商榷。
参考国外0.35um的Vth居然控制在+-50mV,以此高性能器件实现亚阈值估计比较靠谱。
据说现在的28nm模拟设计,偏置在亚阈值区域是常态,实现低功耗。
又涨知识了