MOSfet参数计算与仿真问题

请问各位：
在对偏置电路中MOSfet的参数计算得出的结果与用软件仿真得出的结果差别很大，相差好几倍呢，这个问题一直困扰着我。请问如果要计算电路的中管子的大概参数的时候，一般用什么方法?用什么模型?谢谢

我想 要 结合model对mos在不同的W,L，Vgs，Vds下仿真，从曲线来提取，手算用的u，Cox，lambder，，，而以上的参数都应给对应一定的W,L，Vgs，Vds范围，，model应该是你sim所用的model，这样可能就比较准了，good luck ！

还有一个问题
多谢楼上，但是还有一个问题：我想在仿真以前用Level_1 model估算一下，至少确定大概的MOSfet参数，但是这个和最终用软件run出来的结果相差好像比较大，我想问的是，是不是我用Level_1 model产生的误差?

level 1 model 只能用来 算 书上的 题，是不能 用来设计的电路的，他和高级别的model，仿真的结果差距很大，由其是在 亚微米 级 以后，，要想的功能和性能都有，要多多的理解model，，，good luck！

再问一个弱问题
十分感谢！在请问有没有相关的介绍model中各个参数的具体意义的资料，以及能否介绍一下软件是用什么样的公式（并且利用model里面的参数）计算出结果的

你可以 尝试 一下这本书，Operation and Modeling of the MOS Transistor
或者 cadance ，hspice 也是不错的 选择，
或者 上http://www-device.eecs.berkeley.edu/~bsim3/get.html
软件计算用的工式长的 要死，我想是不能有来手算的。

多谢楼上的帮助，我找找看！

bsim3 including the nonlinear effect

期待中。

算偏置电流的话可以仿真一个管子,然后从管子推算要的参数